坩埚、制作方法和用其生长二氧化碲晶体的方法

被引：0

申请号：

CN202211160531.8

申请日：

2022-09-22

公开(公告)号：

CN115478320A

公开(公告)日：

2022-12-16

发明(设计)人：

薛帅刘运连狄聚青

申请人：

申请人地址：

239000 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号

IPC主分类号：

C30B1510

IPC分类号：

C30B2702 C30B2946 C23C4134 C23C404

代理机构：

滁州创科维知识产权代理事务所(普通合伙) 34167

代理人：

史芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-16	公开	公开
2023-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/10 申请日:20220922

共 50 条

[1]

一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长方法 [P].

葛增伟 ;

吴国庆 ;

储耀卿 ;

殷学技 ;

唐林跃 ;

赵寒冰 ;

顾李臻 .

中国专利 :CN1306074C ,2004-04-07

[2]

二氧化碲单晶体的生长技术 [P].

蒲芝芬 ;

葛增伟 .

中国专利 :CN85107803A ,1987-04-15

[3]

一种制备二氧化碲声光晶体的坩埚下降法生长装置 [P].

雷云 ;

李来超 ;

张榕贵 ;

高浩然 ;

陈腾波 ;

柯剑斌 .

中国专利 :CN221971728U ,2024-11-08

[4]

一种二氧化碲单晶的生长方法及其生长装置 [P].

涂朝阳 ;

王燕 ;

李坚富 ;

朱昭捷 .

中国专利 :CN116103746B ,2024-10-01

[5]

一种二氧化碲晶体生长装置 [P].

马立强 ;

闫志祥 ;

杜灿中 .

中国专利 :CN218262816U ,2023-01-10

[6]

一种二氧化碲晶体的熔体法生长技术 [P].

雷云 ;

李来超 ;

张榕贵 ;

高浩然 ;

陈腾波 ;

柯剑斌 .

中国专利 :CN120400998A ,2025-08-01

[7]

二氧化碲制备方法 [P].

罗鑫 ;

陈应红 .

中国专利 :CN112520707A ,2021-03-19

[8]

二氧化碲的制备方法 [P].

兰石琨 ;

包新军 ;

李义伟 ;

刘懿 ;

夏楚平 ;

王志坚 ;

翁国庆 ;

陈建波 ;

吴希桃 ;

胡婷 ;

谢振山 ;

罗天纵 ;

李静 .

中国专利 :CN109353995A ,2019-02-19

[9]

一种二氧化碲晶体的表面抛光方法 [P].

叶青 ;

黄志文 ;

吴季 ;

王昌运 ;

陈伟 .

中国专利 :CN105458907A ,2016-04-06

[10]

二氧化碲的制备方法 [P].

兰石琨 ;

包新军 ;

李义伟 ;

王志坚 ;

夏楚平 ;

翁国庆 ;

陈建波 ;

吴希桃 ;

胡婷 ;

谢振山 ;

罗天纵 ;

李静 .

中国专利 :CN109179343A ,2019-01-11

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