一种二氧化碲单晶体的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611063024.7

申请日：

2016-11-25

公开(公告)号：

CN106757305A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

刘运连朱刘狄聚青

申请人：

申请人地址：

511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9B

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B2946

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-18	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 11/00 登记生效日:20181128 变更事项:申请人变更前权利人:广东先导稀材股份有限公司变更后权利人:广东先导稀贵金属材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9B 变更后权利人:511517 广东省清远市清新区禾云镇禾云圩边广东先导稀材股份有限公司碲化工（二）车间
2017-05-31	公开	公开
2019-08-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 11/00 申请公布日:20170531
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729278775 IPC(主分类):C30B 11/00 专利申请号:2016110630247 申请日:20161125

共 50 条

[1]

二氧化碲单晶体的生长技术 [P].

蒲芝芬 ;

葛增伟 .

中国专利 :CN85107803A ,1987-04-15

[2]

一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长方法 [P].

葛增伟 ;

吴国庆 ;

储耀卿 ;

殷学技 ;

唐林跃 ;

赵寒冰 ;

顾李臻 .

中国专利 :CN1306074C ,2004-04-07

[3]

二氧化钒基单晶体的制备方法及二氧化钒基单晶体 [P].

吴长征 ;

吴俊驰 ;

郭宇桥 ;

杨波 ;

谢毅 .

中国专利 :CN111850684A ,2020-10-30

[4]

一种二氧化碲单晶的生长方法及其生长装置 [P].

涂朝阳 ;

王燕 ;

李坚富 ;

朱昭捷 .

中国专利 :CN116103746B ,2024-10-01

[5]

一种二氧化碲晶体的熔体法生长技术 [P].

雷云 ;

李来超 ;

张榕贵 ;

高浩然 ;

陈腾波 ;

柯剑斌 .

中国专利 :CN120400998A ,2025-08-01

[6]

一种二氧化碲晶体生长装置 [P].

马立强 ;

闫志祥 ;

杜灿中 .

中国专利 :CN218262816U ,2023-01-10

[7]

固态单晶体的生长方法 [P].

李壕用 ;

李钟泛 ;

许泰茂 ;

金董皓 .

中国专利 :CN1316069C ,2005-11-02

[8]

一种二氧化碲单晶的制备方法 [P].

童静芳 ;

周海涛 ;

何小玲 ;

左艳彬 ;

王金亮 ;

覃世杰 ;

张昌龙 ;

李东升 ;

吴文渊 ;

宋旭东 .

中国专利 :CN112725877A ,2021-04-30

[9]

一种碲锌镉单晶体的生长方法及装置 [P].

庞昊 ;

谢雨凌 .

中国专利 :CN113174626A ,2021-07-27

[10]

一种碲锌镉单晶体的生长方法及装置 [P].

庞昊 ;

谢雨凌 .

中国专利 :CN113174626B ,2024-07-23

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