热辅助磁记录介质用溅射靶

被引：0

申请号：

CN202080074953.6

申请日：

2020-10-27

公开(公告)号：

CN114600190A

公开(公告)日：

2022-06-07

发明(设计)人：

谭金光栉引了辅齐藤伸齐藤节

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G11B565

IPC分类号：

G11B5851 G11B502 C23C1408 C23C1414 C23C1434

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

盛曼;金龙河

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 5/65 申请日:20201027
2022-06-07	公开	公开

共 50 条

[1]

热辅助磁记录介质用溅射靶 [P].

谭金光 ;

栉引了辅 ;

齐藤伸 ;

齐藤节 .

日本专利 :CN114600190B ,2024-10-29

[2]

磁记录介质用溅射靶 [P].

镰田知成 ;

栉引了辅 ;

金光谭 ;

齐藤伸 .

中国专利 :CN112106134B ,2020-12-18

[3]

磁记录介质用溅射靶 [P].

金光谭 ;

栉引了辅 ;

山本俊哉 ;

齐藤伸 ;

日向慎太朗 .

中国专利 :CN109923610B ,2019-06-21

[4]

磁记录介质用溅射靶 [P].

镰田知成 ;

栉引了辅 .

中国专利 :CN114144541A ,2022-03-04

[5]

磁记录介质用溅射靶 [P].

镰田知成 ;

栉引了辅 .

日本专利 :CN114144541B ,2024-12-10

[6]

磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜 [P].

小庄孝志 .

中国专利 :CN108699677B ,2018-10-23

[7]

磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜 [P].

小庄孝志 .

中国专利 :CN108699678A ,2018-10-23

[8]

磁记录膜用溅射靶 [P].

荻野真一 ;

中村祐一郎 .

中国专利 :CN103459656A ,2013-12-18

[9]

磁记录膜用溅射靶 [P].

荻野真一 .

中国专利 :CN104145306A ,2014-11-12

[10]

磁记录膜用溅射靶及用于制造该溅射靶的碳原料 [P].

荻野真一 .

中国专利 :CN104955981B ,2015-09-30

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