磁记录介质用溅射靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080051547.8

申请日：

2020-07-16

公开(公告)号：

CN114144541B

公开(公告)日：

2024-12-10

发明(设计)人：

镰田知成栉引了辅

申请人：

田中贵金属工业株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C23C14/34

IPC分类号：

G11B5/851

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

鲁雯雯;金龙河

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	授权	授权

共 50 条

[1]

磁记录介质用溅射靶 [P].

镰田知成 ;

栉引了辅 .

中国专利 :CN114144541A ,2022-03-04

[2]

磁记录介质用溅射靶 [P].

镰田知成 ;

栉引了辅 ;

金光谭 ;

齐藤伸 .

中国专利 :CN112106134B ,2020-12-18

[3]

磁记录介质用溅射靶 [P].

金光谭 ;

栉引了辅 ;

山本俊哉 ;

齐藤伸 ;

日向慎太朗 .

中国专利 :CN109923610B ,2019-06-21

[4]

磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜 [P].

小庄孝志 .

中国专利 :CN108699678A ,2018-10-23

[5]

磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜 [P].

小庄孝志 .

中国专利 :CN108699677B ,2018-10-23

[6]

热辅助磁记录介质用溅射靶 [P].

谭金光 ;

栉引了辅 ;

齐藤伸 ;

齐藤节 .

中国专利 :CN114600190A ,2022-06-07

[7]

热辅助磁记录介质用溅射靶 [P].

谭金光 ;

栉引了辅 ;

齐藤伸 ;

齐藤节 .

日本专利 :CN114600190B ,2024-10-29

[8]

磁记录介质用溅射靶及其制造方法 [P].

荻野真一 ;

中村祐一郎 .

中国专利 :CN104170015B ,2014-11-26

[9]

磁记录介质用软磁性合金、溅射靶材以及磁记录介质 [P].

泽田俊之 ;

长谷川浩之 ;

岸田敦 .

中国专利 :CN103098135B ,2013-05-08

[10]

溅射靶、磁性膜以及垂直磁记录介质 [P].

增田爱美 ;

清水正义 ;

岩渊靖幸 .

中国专利 :CN112585295A ,2021-03-30

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