溅射靶、磁性膜以及垂直磁记录介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980054069.3

申请日：

2019-05-23

公开(公告)号：

CN112585295A

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

增田爱美清水正义岩渊靖幸

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

G11B564 G11B5851 H01F1016 C22C104 C22C1907 C22C3200

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20190523
2021-03-30	公开	公开

共 50 条

[1]

溅射靶、颗粒膜以及垂直磁记录介质 [P].

清水正义 ;

増田爱美 ;

岩渊靖幸 ;

小庄孝志 .

中国专利 :CN111032906A ,2020-04-17

[2]

磁记录介质用软磁性合金、溅射靶材以及磁记录介质 [P].

泽田俊之 ;

长谷川浩之 ;

岸田敦 .

中国专利 :CN103098135B ,2013-05-08

[3]

磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜 [P].

小庄孝志 .

中国专利 :CN108699678A ,2018-10-23

[4]

磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜 [P].

小庄孝志 .

中国专利 :CN108699677B ,2018-10-23

[5]

磁记录用软磁性合金及溅射靶材以及磁记录介质 [P].

长谷川浩之 ;

松原庆明 ;

新村梦树 ;

林亮二 .

中国专利 :CN106415720A ,2017-02-15

[6]

磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质 [P].

清水悠子 .

中国专利 :CN103380458B ,2013-10-30

[7]

溅射靶、层叠膜的制造方法、层叠膜以及磁记录介质 [P].

清水正义 ;

增田爱美 ;

岩渊靖幸 ;

本田和也 .

日本专利 :CN119110856A ,2024-12-10

[8]

磁记录介质用溅射靶 [P].

镰田知成 ;

栉引了辅 .

中国专利 :CN114144541A ,2022-03-04

[9]

磁记录介质用溅射靶 [P].

金光谭 ;

栉引了辅 ;

山本俊哉 ;

齐藤伸 ;

日向慎太朗 .

中国专利 :CN109923610B ,2019-06-21

[10]

磁记录介质用溅射靶 [P].

镰田知成 ;

栉引了辅 .

日本专利 :CN114144541B ,2024-12-10

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