溅射靶、层叠膜的制造方法、层叠膜以及磁记录介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380034562.5

申请日：

2023-05-26

公开(公告)号：

CN119110856A

公开(公告)日：

2024-12-10

发明(设计)人：

清水正义增田爱美岩渊靖幸本田和也

申请人：

JX金属株式会社

申请人地址：

日本东京都港区虎门二丁目10番4号

IPC主分类号：

C23C14/34

IPC分类号：

B22F1/00 C22C1/05 C22C1/10 C22C5/04 C22C19/07 C22C32/00 C23C14/06 G11B5/706 G11B5/851 H01F10/16 H01F41/18

代理机构：

北京伟思知识产权代理事务所(普通合伙) 11725

代理人：

聂宁乐;胡瑾

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

溅射靶、磁性膜以及垂直磁记录介质 [P].

增田爱美 ;

清水正义 ;

岩渊靖幸 .

中国专利 :CN112585295A ,2021-03-30

[2]

溅射靶、颗粒膜以及垂直磁记录介质 [P].

清水正义 ;

増田爱美 ;

岩渊靖幸 ;

小庄孝志 .

中国专利 :CN111032906A ,2020-04-17

[3]

磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P].

加藤和照 .

中国专利 :CN101835920B ,2010-09-15

[4]

溅射靶及层叠膜 [P].

森晓 ;

小见山昌三 ;

野中庄平 .

中国专利 :CN105525262B ,2016-04-27

[5]

磁记录介质用溅射靶 [P].

金光谭 ;

栉引了辅 ;

山本俊哉 ;

齐藤伸 ;

日向慎太朗 .

中国专利 :CN109923610B ,2019-06-21

[6]

磁记录膜用溅射靶 [P].

荻野真一 ;

中村祐一郎 .

中国专利 :CN103459656A ,2013-12-18

[7]

磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 [P].

荻野真一 .

中国专利 :CN107075665A ,2017-08-18

[8]

磁记录膜用溅射靶 [P].

荻野真一 .

中国专利 :CN104145306A ,2014-11-12

[9]

磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P].

高见英生 ;

奈良淳史 ;

荻野真一 .

中国专利 :CN103210115B ,2013-07-17

[10]

磁记录膜用溅射靶及其制造方法 [P].

高见英生 ;

奈良淳史 ;

荻野真一 ;

中村祐一郎 .

中国专利 :CN103168328B ,2013-06-19

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	公开	公开
2024-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/34申请日:20230526