微米级集成电路用球形硅微粉生产装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220635310.7

申请日：

2012-11-27

公开(公告)号：

CN202924750U

公开(公告)日：

2013-05-08

发明(设计)人：

何书辉

申请人：

申请人地址：

221400 江苏省徐州市新沂市无锡新沂工业园灵山路

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101643098308 IPC(主分类):C01B 33/18 专利号:ZL2012206353107 申请日:20121127 授权公告日:20130508 终止日期:20141127
2013-05-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种微米级集成电路用球形硅微粉的制备方法 [P].

何书辉 .

中国专利 :CN102826550A ,2012-12-19

[2]

一种集成电路封装用球形硅微粉冷却装置 [P].

刘恩惠 .

中国专利 :CN217817658U ,2022-11-15

[3]

微米级球形硅微粉的制备方法 [P].

李晓冬 ;

李凤生 ;

姜炜 ;

王松宪 ;

刘宏英 ;

汪维桥 ;

顾志明 ;

阮建军 ;

曹家凯 ;

吴家胜 .

中国专利 :CN101704528A ,2010-05-12

[4]

新型电子集成电路封装用熔融硅微粉生产装置 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN202465291U ,2012-10-03

[5]

用于亚微米级集成电路的温度检测电路 [P].

谢希 .

中国专利 :CN202229851U ,2012-05-23

[6]

一种纳米级球形硅微粉的生产装置 [P].

何书辉 .

中国专利 :CN112246386A ,2021-01-22

[7]

混合微米级-纳米级神经形态集成电路 [P].

G·S·施奈德 .

中国专利 :CN101889343B ,2010-11-17

[8]

用微米级工艺制备纳米级CMOS集成电路的方法 [P].

张鹤鸣 ;

戴显英 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

宋建军 ;

王冠宇 ;

秦珊珊 ;

王晓燕 .

中国专利 :CN101359626B ,2009-02-04

[9]

用于电子级亚微米球形硅微粉生产的防积碳球化炉 [P].

阮建军 ;

曹家凯 ;

汪维桥 ;

刘雪 ;

冯宝琦 ;

周紫文 .

中国专利 :CN118776320A ,2024-10-15

[10]

用于电子级亚微米球形硅微粉生产的防积碳球化炉 [P].

阮建军 ;

曹家凯 ;

汪维桥 ;

刘雪 ;

冯宝琦 ;

周紫文 .

中国专利 :CN118776320B ,2025-02-28

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