应用硅锗薄膜的非制冷红外焦平面阵列像元制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210388581.1

申请日：

2012-10-12

公开(公告)号：

CN103730535A

公开(公告)日：

2014-04-16

发明(设计)人：

何勇苏岩方中董涛王开鹰杨朝初

申请人：

申请人地址：

210094 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L27146

代理机构：

南京理工大学专利中心 32203

代理人：

朱显国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-16	公开	公开
2016-03-02	授权	授权
2014-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582226107 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2012103885811 申请日:20121012

共 50 条

[1]

非制冷红外焦平面阵列 [P].

谭果 ;

李煜 ;

翁博元 ;

李中伟 ;

马丽丽 ;

郭健海 .

中国专利 :CN109000805B ,2018-12-14

[2]

交错像元非制冷红外焦平面阵列读出电路 [P].

赵照 .

中国专利 :CN205940775U ,2017-02-08

[3]

交错像元非制冷红外焦平面阵列读出电路 [P].

赵照 .

中国专利 :CN106197685A ,2016-12-07

[4]

非制冷红外焦平面阵列及其制备方法与应用 [P].

于晓梅 ;

李博翰 .

中国专利 :CN101995295A ,2011-03-30

[5]

非制冷红外焦平面阵列读出电路 [P].

吕坚 ;

阙隆成 ;

刘慧芳 ;

魏林海 ;

周云 .

中国专利 :CN103900722B ,2014-07-02

[6]

非制冷红外焦平面阵列读出电路 [P].

谭果 ;

李煜 ;

李璟 ;

翁博元 ;

李中伟 .

中国专利 :CN107727243B ,2018-02-23

[7]

温室型非制冷红外焦平面阵列 [P].

董立军 .

中国专利 :CN101398330A ,2009-04-01

[8]

非制冷红外焦平面阵列探测器 [P].

潘峰 ;

钱剑 ;

姜利军 .

中国专利 :CN302559056S ,2013-09-04

[9]

基于硅衬底无牺牲层的非制冷红外焦平面阵列的制作方法 [P].

石莎莉 ;

陈大鹏 ;

景玉鹏 ;

殴毅 ;

董立军 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN101047149A ,2007-10-03

[10]

非制冷红外焦平面阵列用氧化钒薄膜材料的制备方法 [P].

王开鹰 ;

董涛 ;

刘国华 ;

张磊 ;

何勇 ;

张明明 ;

苏岩 ;

施芹 .

中国专利 :CN101812666B ,2010-08-25

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