半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710102487.8

申请日：

2017-02-24

公开(公告)号：

CN107204321B

公开(公告)日：

2017-09-26

发明(设计)人：

日向裕一朗

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

H01L2331 H01L2156

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

金玉兰;王颖

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-12	授权	授权
2017-09-26	公开	公开
2019-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/498 申请日:20170224

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

铃木健司 .

中国专利 :CN105304578A ,2016-02-03

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

前田笃志 ;

川濑达也 ;

井本裕儿 .

中国专利 :CN114556534A ,2022-05-27

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

后藤亮 ;

大月高实 ;

清水康贵 ;

富冈真吾 .

中国专利 :CN113257801A ,2021-08-13

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

前田笃志 ;

川濑达也 ;

井本裕儿 .

日本专利 :CN114556534B ,2025-05-06

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

中原贤太 .

日本专利 :CN118541796A ,2024-08-23

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

中原贤太 .

日本专利 :CN119631174A ,2025-03-14

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

清水康贵 .

日本专利 :CN113496956B ,2024-07-02

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山内宏哉 ;

井本裕儿 ;

大串直弘 .

日本专利 :CN119032419A ,2024-11-26

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

后藤亮 ;

大月高实 ;

清水康贵 ;

富冈真吾 .

日本专利 :CN113257801B ,2024-09-24

[10]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

横山岳 .

中国专利 :CN104979221B ,2015-10-14

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