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半导体装置及半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280094905.2
申请日：
2022-04-20
公开(公告)号：
CN119032419A
公开(公告)日：
2024-11-26
发明(设计)人：
山内宏哉
井本裕儿
大串直弘
申请人：
三菱电机株式会社
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L21/52
IPC分类号：
H01L25/065
H01L25/07
H01L25/18
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
何立波;张天舒
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-26 | 公开 | 公开 |
| 2024-12-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/52申请日:20220420 |