离子敏感场效应晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710257059.2

申请日：

2017-04-19

公开(公告)号：

CN108732225A

公开(公告)日：

2018-11-02

发明(设计)人：

伏广才蒋沙沙崔强

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G01N27414

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-13	授权	授权
2018-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/414 申请日:20170419
2018-11-02	公开	公开

共 50 条

[1]

离子敏感场效应晶体管及其制备方法 [P].

吴东平 ;

文宸宇 ;

曾瑞雪 ;

张世理 .

中国专利 :CN103940884B ,2014-07-23

[2]

离子敏感场效应晶体管及其制备方法 [P].

呼红阳 ;

毕津顺 ;

习凯 .

中国专利 :CN109211897A ,2019-01-15

[3]

离子敏感场效应晶体管及其制备方法 [P].

吴东平 ;

张世理 ;

文宸宇 .

中国专利 :CN103472115A ,2013-12-25

[4]

离子敏感场效应晶体管及其制备工艺 [P].

吴东平 ;

曾瑞雪 ;

文宸宇 ;

张世理 .

中国专利 :CN103940885A ,2014-07-23

[5]

离子敏感场效应晶体管 [P].

克里斯特弗·图马佐 ;

布沙娜·普马诺德 ;

莱拉·谢伯德 .

中国专利 :CN101949883B ,2011-01-19

[6]

鳍式场效应晶体管及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107369621A ,2017-11-21

[7]

鳍式场效应晶体管及其形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103839822A ,2014-06-04

[8]

鳍式场效应晶体管及其形成方法 [P].

张海洋 ;

纪世良 .

中国专利 :CN108933174B ,2018-12-04

[9]

场效应晶体管及其形成方法 [P].

迈克尔·P·贝尔扬斯基 ;

奥利格·格卢斯切科夫 ;

杜雷塞蒂·奇达姆巴拉奥 .

中国专利 :CN101000925A ,2007-07-18

[10]

场效应晶体管及其形成方法 [P].

李翔 ;

刘哲宏 .

中国专利 :CN107437508A ,2017-12-05

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