离子敏感场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310359689.2

申请日：

2013-08-16

公开(公告)号：

CN103472115A

公开(公告)日：

2013-12-25

发明(设计)人：

吴东平张世理文宸宇

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

G01N27414

IPC分类号：

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260

代理人：

成丽杰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-27	授权	授权
2013-12-25	公开	公开
2016-02-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101647308733 IPC(主分类):G01N 27/414 专利申请号:2013103596892 申请日:20130816

共 50 条

[1]

离子敏感场效应晶体管及其制备方法 [P].

吴东平 ;

文宸宇 ;

曾瑞雪 ;

张世理 .

中国专利 :CN103940884B ,2014-07-23

[2]

离子敏感场效应晶体管及其制备工艺 [P].

吴东平 ;

曾瑞雪 ;

文宸宇 ;

张世理 .

中国专利 :CN103940885A ,2014-07-23

[3]

离子敏感场效应晶体管及其制备方法 [P].

呼红阳 ;

毕津顺 ;

习凯 .

中国专利 :CN109211897A ,2019-01-15

[4]

离子敏感场效应晶体管及其形成方法 [P].

伏广才 ;

蒋沙沙 ;

崔强 .

中国专利 :CN108732225A ,2018-11-02

[5]

离子敏感场效应晶体管 [P].

克里斯特弗·图马佐 ;

布沙娜·普马诺德 ;

莱拉·谢伯德 .

中国专利 :CN101949883B ,2011-01-19

[6]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN104599968A ,2015-05-06

[7]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN106601804A ,2017-04-26

[8]

场效应晶体管及其方法 [P].

B·格罗特 ;

S·R·梅霍特拉 ;

L·拉蒂克 ;

V·坎姆卡 ;

M·E·吉普森 .

中国专利 :CN109560137A ,2019-04-02

[9]

场效应晶体管及其方法 [P].

S·R·梅霍特拉 ;

L·拉蒂克 ;

B·格罗特 .

中国专利 :CN109560139A ,2019-04-02

[10]

场效应晶体管及其方法 [P].

S·R·梅霍特拉 ;

L·拉蒂克 ;

B·格罗特 .

中国专利 :CN109560138A ,2019-04-02

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