水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720863838.2

申请日：

2017-07-17

公开(公告)号：

CN207765432U

公开(公告)日：

2018-08-24

发明(设计)人：

言锦春

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区汇仁路1899号5幢1层B区

IPC主分类号：

H01L2313

IPC分类号：

H01L2331 H01L23367 H01L23473 H01L2349 H01L2300 H01L2500 H01L2518

代理机构：

杭州九洲专利事务所有限公司 33101

代理人：

翁霁明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块 [P].

言锦春 .

中国专利 :CN107275291A ,2017-10-20

[2]

绝缘栅双极型晶体管模块 [P].

姚礼军 .

中国专利 :CN206574711U ,2017-10-20

[3]

绝缘栅双极型晶体管模块 [P].

姚礼军 .

中国专利 :CN207165546U ,2018-03-30

[4]

水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块 [P].

邱秀华 ;

邱嘉龙 ;

李志军 ;

朱永斌 ;

何祖辉 .

中国专利 :CN212542414U ,2021-02-12

[5]

一种绝缘栅双极型晶体管模块 [P].

姚礼军 .

中国专利 :CN106816445A ,2017-06-09

[6]

一种绝缘栅双极型晶体管模块 [P].

姚礼军 .

中国专利 :CN107359143A ,2017-11-17

[7]

绝缘栅双极型晶体管模块 [P].

望月浩一 ;

友松佳史 .

中国专利 :CN1655354A ,2005-08-17

[8]

绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法 [P].

潘光燃 ;

石金成 ;

王焜 ;

文燕 ;

高振杰 .

中国专利 :CN104347399B ,2015-02-11

[9]

绝缘栅双极型晶体管封装模块 [P].

池继富 ;

周晓阳 ;

李博强 .

中国专利 :CN210575897U ,2020-05-19

[10]

绝缘栅双极型晶体管封装模块 [P].

池继富 ;

周晓阳 ;

王亚哲 .

中国专利 :CN111048475A ,2020-04-21

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