绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310317624.1

申请日：

2013-07-25

公开(公告)号：

CN104347399B

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

潘光燃石金成王焜文燕高振杰

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

刘芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-11	公开	公开
2015-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101601518465 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:2013103176241 申请日:20130725
2017-09-26	授权	授权
2022-08-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/331 登记生效日:20220726 变更事项:专利权人变更前权利人:北大方正集团有限公司变更后权利人:深圳方正微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园变更事项:专利权人变更前权利人:深圳方正微电子有限公司

共 50 条

[1]

绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

张泉 ;

尹强 ;

肖超 ;

田俊 .

中国专利 :CN114512537A ,2022-05-17

[2]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

屈志军 ;

曾祥 .

中国专利 :CN101667593A ,2010-03-10

[3]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

程维维 ;

张斌 ;

魏可情 ;

吴泉鑫 ;

李伟铭 ;

张成洲 ;

林云斌 ;

朱佳 ;

甘露 ;

唐雪梅 .

中国专利 :CN105514148A ,2016-04-20

[4]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

屈志军 ;

曾祥 .

中国专利 :CN201478312U ,2010-05-19

[5]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

冯宇翔 ;

甘弟 .

中国专利 :CN108365007A ,2018-08-03

[6]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

张斌 ;

鄢细根 ;

黄种德 .

中国专利 :CN110112213A ,2019-08-09

[7]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

冯宇翔 ;

甘弟 .

中国专利 :CN208077982U ,2018-11-09

[8]

绝缘栅双极型晶体管 [P].

王春早 ;

马海平 ;

张斌 .

中国专利 :CN103915489B ,2014-07-09

[9]

一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT [P].

乐双申 ;

陈兆萍 .

中国专利 :CN119325245A ,2025-01-17

[10]

水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块 [P].

邱秀华 ;

邱嘉龙 ;

李志军 ;

朱永斌 ;

何祖辉 .

中国专利 :CN212542414U ,2021-02-12

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