绝缘栅双极型晶体管IGBT的制造方法

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申请号
CN202210411916.0
申请日
2022-04-19
公开(公告)号
CN114512537A
公开(公告)日
2022-05-17
发明(设计)人
赵东艳 王于波 陈燕宁 付振 张泉 尹强 肖超 田俊
申请人
申请人地址
102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L21331 H01L29739
代理机构
北京润平知识产权代理有限公司 11283
代理人
王晓晓
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
绝缘栅双极型晶体管IGBT制造方法 [P]. 
潘光燃 ;
石金成 ;
王焜 ;
文燕 ;
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绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 [P]. 
肖魁 ;
卞铮 .
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一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT [P]. 
乐双申 ;
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[4]
水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块 [P]. 
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朱永斌 ;
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水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块 [P]. 
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绝缘栅双极型晶体管 [P]. 
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[7]
绝缘栅双极型晶体管 [P]. 
汉斯-约阿希姆·舒尔茨 ;
弗兰克·普菲尔什 ;
霍尔格·豪斯肯 .
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[8]
绝缘栅双极型晶体管 [P]. 
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绝缘栅双极型晶体管 [P]. 
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绝缘栅双极型晶体管 [P]. 
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文雨 ;
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中国专利 :CN115547963A ,2022-12-30