半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201010230735.5
申请日
2010-07-15
公开(公告)号
CN102054766A
公开(公告)日
2011-05-11
发明(设计)人
金承焕
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L23532 H01L27108
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
顾红霞;何胜勇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
郑璲钰 .
中国专利 :CN101567339B ,2009-10-28
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
门岛胜 ;
井上真雄 .
中国专利 :CN108735800A ,2018-11-02
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
李柄勋 ;
林昌文 .
中国专利 :CN103165610A ,2013-06-19
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
金志永 ;
金大益 ;
金冈昱 ;
金那罗 ;
朴济民 ;
李圭现 ;
郑铉雨 ;
秦教英 ;
洪亨善 ;
黄有商 .
中国专利 :CN104037125B ,2014-09-10
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
金承范 .
中国专利 :CN102034755A ,2011-04-27
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
伊东由夫 ;
久岛好正 ;
内田浩和 .
中国专利 :CN101552244A ,2009-10-07
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
前田茂伸 ;
卢铉弼 ;
李忠浩 ;
咸锡宪 .
中国专利 :CN103137621A ,2013-06-05
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
川下道宏 ;
吉村保广 ;
田中直敬 ;
内藤孝洋 ;
赤沢隆 .
中国专利 :CN101320702A ,2008-12-10
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
真篠直寛 .
中国专利 :CN1320620C ,2004-01-21
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
金燦佑 .
中国专利 :CN102347331A ,2012-02-08