半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410076999.8

申请日：

2014-03-04

公开(公告)号：

CN104037125B

公开(公告)日：

2014-09-10

发明(设计)人：

金志永金大益金冈昱金那罗朴济民李圭现郑铉雨秦教英洪亨善黄有商

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L21683 H01L21768 H01L23544 H01L27146 H01L2348 H01L2177

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

屈玉华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101634486119 IPC(主分类):H01L 21/77 专利申请号:2014100769998 申请日:20140304
2018-09-11	授权	授权
2014-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

郑璲钰 .

中国专利 :CN101567339B ,2009-10-28

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

门岛胜 ;

井上真雄 .

中国专利 :CN108735800A ,2018-11-02

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承焕 .

中国专利 :CN102054766A ,2011-05-11

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

李柄勋 ;

林昌文 .

中国专利 :CN103165610A ,2013-06-19

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

金承范 .

中国专利 :CN102034755A ,2011-04-27

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

伊东由夫 ;

久岛好正 ;

内田浩和 .

中国专利 :CN101552244A ,2009-10-07

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

前田茂伸 ;

卢铉弼 ;

李忠浩 ;

咸锡宪 .

中国专利 :CN103137621A ,2013-06-05

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

川下道宏 ;

吉村保广 ;

田中直敬 ;

内藤孝洋 ;

赤沢隆 .

中国专利 :CN101320702A ,2008-12-10

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

真篠直寛 .

中国专利 :CN1320620C ,2004-01-21

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

金燦佑 .

中国专利 :CN102347331A ,2012-02-08

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