一种聚偏氟乙烯基吸波材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910832173.2

申请日：

2019-09-04

公开(公告)号：

CN110527224A

公开(公告)日：

2019-12-03

发明(设计)人：

隋刚李飞袁俊杰庄莉

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北三环东路15号

IPC主分类号：

C08L2716

IPC分类号：

C08K912 C08K724 C08K322

代理机构：

北京怡丰知识产权代理有限公司 11293

代理人：

于振强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08L 27/16 申请日:20190904
2021-02-19	授权	授权
2019-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法 [P].

迟庆国 ;

马涛 ;

高亮 ;

刘刚 ;

王暄 ;

雷清泉 .

中国专利 :CN104985738A ,2015-10-21

[2]

一种聚偏氟乙烯基柔性压电材料及其制备方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张斗 ;

袁晰 .

中国专利 :CN113755967A ,2021-12-07

[3]

一种柔性吸波材料及其制备方法 [P].

隋刚 ;

李飞 ;

詹文炜 .

中国专利 :CN110305429A ,2019-10-08

[4]

一种聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法、应用 [P].

王基翔 ;

李政龙 ;

王琳 ;

范潮海 ;

林晶晶 ;

潘婷 ;

杨云兰 ;

尹长华 .

中国专利 :CN121064582A ,2025-12-05

[5]

聚偏氟乙烯基PTC 高分子发热材料及其制备方法 [P].

李贻连 .

中国专利 :CN103304937A ,2013-09-18

[6]

一种巨介电常数聚偏氟乙烯基纳米复合材料及其制备方法 [P].

尚淑英 ;

蒋博博 ;

刘文金 ;

杜云霄 ;

宋建楠 .

中国专利 :CN106032424B ,2016-10-19

[7]

高击穿强度聚偏氟乙烯基聚合物薄膜材料及其制备方法 [P].

路旭 ;

邓维 ;

朱亦松 .

中国专利 :CN113292750A ,2021-08-24

[8]

聚偏氟乙烯基膜、聚偏氟乙烯复合纳滤膜及其制备方法 [P].

张旭良 ;

吕朋朋 ;

曹春 ;

朱建军 .

中国专利 :CN114632428B ,2022-06-17

[9]

一种高介电常数聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法 [P].

李刚 ;

张小青 ;

李锦州 .

中国专利 :CN102174236B ,2011-09-07

[10]

聚偏氟乙烯基导电复合材料及PTC元件 [P].

曹清华 ;

赵鑫建 ;

郁益根 ;

赵电 ;

刘正平 ;

黄定兵 ;

吴国臣 ;

张伟 .

中国专利 :CN112210176A ,2021-01-12

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