高击穿强度聚偏氟乙烯基聚合物薄膜材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110480037.9

申请日：

2021-04-30

公开(公告)号：

CN113292750A

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

路旭邓维朱亦松

申请人：

申请人地址：

710048 陕西省西安市金花南路5号

IPC主分类号：

C08J518

IPC分类号：

C08L2716 C08L3312

代理机构：

北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315

代理人：

杨洲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08J 5/18 申请日:20210430
2021-08-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种聚偏氟乙烯基聚合物压电薄膜的制备方法 [P].

黄妍斐 ;

彭李强 ;

张力威 .

中国专利 :CN119505314A ,2025-02-25

[2]

聚偏氟乙烯基接枝改性聚合物薄膜的制备装置 [P].

张志成 ;

胡习光 .

中国专利 :CN212222845U ,2020-12-25

[3]

聚偏氟乙烯基铁电聚合物膜及其制备方法和应用 [P].

王海连 ;

周晓勇 ;

卢泉轩 ;

蔡怀勋 ;

邵春明 .

中国专利 :CN115746355B ,2025-12-09

[4]

一种全有机聚偏氟乙烯基聚合物复合材料及其制备方法和应用 [P].

张云鹤 ;

迟慧 .

中国专利 :CN120795501A ,2025-10-17

[5]

一种聚偏氟乙烯基铁电聚合物及其制备方法 [P].

刘洋 ;

袁泽 ;

周华民 ;

李晨祎 .

中国专利 :CN120795221A ,2025-10-17

[6]

高储能密度聚偏氟乙烯基接枝改性聚合物的制备方法 [P].

张志成 ;

李俊杰 .

中国专利 :CN103387642B ,2013-11-13

[7]

一种聚偏氟乙烯基薄膜的制备方法 [P].

李义涛 ;

程丛 ;

汤诚 ;

李林 ;

杨华军 ;

栗彦娜 ;

许才盛 .

中国专利 :CN104327433B ,2015-02-04

[8]

偏氟乙烯聚合物及其制备方法 [P].

吴君毅 ;

梁聪强 ;

王琳 ;

许伟忠 ;

钱辉 ;

陆秋生 ;

王伟兵 ;

陈惠强 .

中国专利 :CN103601827B ,2014-02-26

[9]

一种具有多孔结构的聚偏氟乙烯基聚合物及其制备方法 [P].

李熹平 ;

曾水萍 ;

胡仲略 ;

李梦佳 ;

郑佳佳 ;

宫宁宁 ;

王博文 .

中国专利 :CN111363187B ,2020-07-03

[10]

聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法 [P].

迟庆国 ;

马涛 ;

高亮 ;

刘刚 ;

王暄 ;

雷清泉 .

中国专利 :CN104985738A ,2015-10-21

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