一种聚偏氟乙烯基铁电聚合物及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511111733.7

申请日：

2025-08-08

公开(公告)号：

CN120795221A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

刘洋袁泽周华民李晨祎

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

C08F214/22

IPC分类号：

C08J5/18 C08L27/22 C08F8/10

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

孙杨柳

法律状态：

公开

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	公开	公开
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C08F 214/22申请日:20250808

共 50 条

[1]

聚偏氟乙烯基铁电聚合物膜及其制备方法和应用 [P].

王海连 ;

周晓勇 ;

卢泉轩 ;

蔡怀勋 ;

邵春明 .

中国专利 :CN115746355B ,2025-12-09

[2]

一种聚偏氟乙烯基聚合物压电薄膜的制备方法 [P].

黄妍斐 ;

彭李强 ;

张力威 .

中国专利 :CN119505314A ,2025-02-25

[3]

改性聚偏氟乙烯基铁电聚合物低电场制冷性能的方法及其应用 [P].

钱小石 ;

郑珊瑜 .

中国专利 :CN113214424B ,2022-06-21

[4]

一种DOPO接枝的聚偏氟乙烯基聚合物固态电解质及其制备方法 [P].

石琨 ;

俞长松 ;

周龙 ;

张卫新 .

中国专利 :CN120865462A ,2025-10-31

[5]

一种聚偏氟乙烯聚合物及其制备方法 [P].

周晓勇 ;

陈振华 ;

蔡怀勋 ;

余晓斌 ;

王树华 .

中国专利 :CN106380533B ,2017-02-08

[6]

聚偏氟乙烯基接枝改性聚合物薄膜的制备装置 [P].

张志成 ;

胡习光 .

中国专利 :CN212222845U ,2020-12-25

[7]

偏氟乙烯聚合物及其制备方法 [P].

吴君毅 ;

梁聪强 ;

王琳 ;

许伟忠 ;

钱辉 ;

陆秋生 ;

王伟兵 ;

陈惠强 .

中国专利 :CN103601827B ,2014-02-26

[8]

高击穿强度聚偏氟乙烯基聚合物薄膜材料及其制备方法 [P].

路旭 ;

邓维 ;

朱亦松 .

中国专利 :CN113292750A ,2021-08-24

[9]

一种改性聚偏氟乙烯基凝胶聚合物电解质及其制备方法 [P].

周明杰 ;

刘大喜 ;

王要兵 .

中国专利 :CN103811810A ,2014-05-21

[10]

一种具有多孔结构的聚偏氟乙烯基聚合物及其制备方法 [P].

李熹平 ;

曾水萍 ;

胡仲略 ;

李梦佳 ;

郑佳佳 ;

宫宁宁 ;

王博文 .

中国专利 :CN111363187B ,2020-07-03

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