一种聚偏氟乙烯基聚合物压电薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411697334.9

申请日：

2024-11-25

公开(公告)号：

CN119505314A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

黄妍斐彭李强张力威

申请人：

深圳大学

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

IPC主分类号：

C08J5/18

IPC分类号：

C08L27/16

代理机构：

北京汇众通达知识产权代理事务所(普通合伙) 11622

代理人：

徐文强

法律状态：

公开

国省代码：

广东省佛山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	公开	公开
2025-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C08J 5/18申请日:20241125

共 50 条

[1]

聚偏氟乙烯基接枝改性聚合物薄膜的制备装置 [P].

张志成 ;

胡习光 .

中国专利 :CN212222845U ,2020-12-25

[2]

高击穿强度聚偏氟乙烯基聚合物薄膜材料及其制备方法 [P].

路旭 ;

邓维 ;

朱亦松 .

中国专利 :CN113292750A ,2021-08-24

[3]

一种聚偏氟乙烯基铁电聚合物及其制备方法 [P].

刘洋 ;

袁泽 ;

周华民 ;

李晨祎 .

中国专利 :CN120795221A ,2025-10-17

[4]

一种聚偏氟乙烯基压电薄膜传感器 [P].

路涛 .

中国专利 :CN220356387U ,2024-01-16

[5]

高储能密度聚偏氟乙烯基接枝改性聚合物的制备方法 [P].

张志成 ;

李俊杰 .

中国专利 :CN103387642B ,2013-11-13

[6]

一种聚偏氟乙烯基聚合物电解质的制备方法及应用 [P].

孙振华 ;

王玉洁 ;

徐若谷 ;

白朔 ;

李峰 .

中国专利 :CN120261690A ,2025-07-04

[7]

一种具有多孔结构的聚偏氟乙烯基聚合物及其制备方法 [P].

李熹平 ;

曾水萍 ;

胡仲略 ;

李梦佳 ;

郑佳佳 ;

宫宁宁 ;

王博文 .

中国专利 :CN111363187B ,2020-07-03

[8]

一种聚偏氟乙烯基薄膜的制备方法 [P].

李义涛 ;

程丛 ;

汤诚 ;

李林 ;

杨华军 ;

栗彦娜 ;

许才盛 .

中国专利 :CN104327433B ,2015-02-04

[9]

聚偏氟乙烯基铁电聚合物膜及其制备方法和应用 [P].

王海连 ;

周晓勇 ;

卢泉轩 ;

蔡怀勋 ;

邵春明 .

中国专利 :CN115746355B ,2025-12-09

[10]

一种超高分子量聚偏氟乙烯基聚合物及其制备方法 [P].

汪超峰 ;

赵景平 ;

王章明 ;

夏群平 ;

袁熬好 ;

曹慧 .

中国专利 :CN120309775A ,2025-07-15

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