半导体元件及其制法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010239344.X

申请日：

2010-07-27

公开(公告)号：

CN102142413A

公开(公告)日：

2011-08-03

发明(设计)人：

王姿予邱志威郑心圃

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L2160

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;陈晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-03	公开	公开
2013-06-12	授权	授权
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113518575 IPC(主分类):H01L 23/485 专利申请号:201010239344X 申请日:20100727

共 50 条

[1]

半导体元件及其制法 [P].

陈明发 .

中国专利 :CN101783329B ,2010-07-21

[2]

半导体元件及其制法 [P].

叶德强 ;

张立文 ;

曾华洲 ;

赵治平 .

中国专利 :CN102347329A ,2012-02-08

[3]

半导体元件及其制法 [P].

陈建豪 ;

侯永田 ;

林纲正 ;

黄国泰 .

中国专利 :CN101667594A ,2010-03-10

[4]

半导体元件及其制法 [P].

庄学理 ;

李宗吉 ;

郑光茗 ;

钟昇镇 ;

梁孟松 .

中国专利 :CN101819976B ,2010-09-01

[5]

半导体元件及其制法 [P].

林宪信 ;

谢博全 ;

陈振平 .

中国专利 :CN102044542A ,2011-05-04

[6]

半导体组件、半导体元件及其制法 [P].

赖怡仁 ;

韩至刚 ;

詹前彬 ;

简智源 ;

杨怀德 .

中国专利 :CN102148211B ,2011-08-10

[7]

光电半导体元件及其制法 [P].

余子强 ;

富振华 ;

黄信雄 .

中国专利 :CN108010971A ,2018-05-08

[8]

光电半导体元件及其制法 [P].

余子强 ;

富振华 ;

黄信雄 .

中国专利 :CN103247652B ,2013-08-14

[9]

双工函数半导体元件及其制法 [P].

张守仁 ;

汤玛斯·Y·哈夫曼 ;

玻陀斯·杰佛瑞 ;

于洪宇 .

中国专利 :CN101471303A ,2009-07-01

[10]

半导体元件的制法 [P].

叶炅翰 ;

钟昇镇 ;

郑光茗 ;

庄学理 .

中国专利 :CN101677087A ,2010-03-24

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