一种半导体晶片抛光系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220564271.6

申请日：

2012-10-30

公开(公告)号：

CN203031439U

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

唐强

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号

IPC主分类号：

B24B3704

IPC分类号：

B24B3734 H01L2167

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B24B 37/04 申请日:20121030 授权公告日:20130703 终止日期:20181030
2013-07-03	授权	授权

共 50 条

[1]

抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102049723A ,2011-05-11

[2]

一种半导体晶片抛光装置 [P].

纪双涛 ;

孙士龙 ;

王鑫 ;

李亚平 .

中国专利 :CN222831505U ,2025-05-06

[3]

一种半导体晶片抛光装置 [P].

尤红权 .

中国专利 :CN221755699U ,2024-09-24

[4]

晶片抛光系统 [P].

郑加镇 ;

卢建平 .

中国专利 :CN210189428U ,2020-03-27

[5]

用于半导体晶片抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102034697A ,2011-04-27

[6]

局部抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN101927448A ,2010-12-29

[7]

双面抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205520A ,2011-10-05

[8]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102990505A ,2013-03-27

[9]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN104476384B ,2015-04-01

[10]

用于抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205521A ,2011-10-05

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