半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880099749.2

申请日：

2018-12-05

公开(公告)号：

CN113169055A

公开(公告)日：

2021-07-23

发明(设计)人：

井上敦文绵引达郎松藤健五原幸治郎

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

贾成功

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-23	公开	公开
2021-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20181205

共 50 条

[1]

半导体基板、半导体装置、及半导体装置的制造方法 [P].

竹中充 ;

高木信一 ;

秦雅彦 ;

市川磨 .

中国专利 :CN101960605A ,2011-01-26

[2]

半导体芯片的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体芯片及半导体装置 [P].

谷田一真 ;

根本义彦 ;

田中直敬 .

中国专利 :CN1551312A ,2004-12-01

[3]

半导体装置、半导体模块及半导体装置的制造方法 [P].

野村一城 ;

大桥健一 ;

山下创一 ;

森健太郎 ;

村吉彬 ;

奥山拓希 .

日本专利 :CN118676099A ,2024-09-20

[4]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

日本专利 :CN111954926B ,2024-04-30

[5]

半导体基板、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

木村龙一 .

中国专利 :CN103367601A ,2013-10-23

[6]

半导体基板、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

后藤博一 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN105247658A ,2016-01-13

[7]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

中国专利 :CN111954926A ,2020-11-17

[8]

半导体基板制造方法及半导体装置制造方法、半导体装置 [P].

原寿树 .

中国专利 :CN101009239A ,2007-08-01

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

齐藤太志郎 ;

甲斐隆行 ;

大熊崇文 ;

山西齐 .

中国专利 :CN102282656A ,2011-12-14

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

林将司 .

中国专利 :CN104934384A ,2015-09-23

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