双轨SRAM电路及SRAM存储器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011472173.5
申请日
2020-12-15
公开(公告)号
CN112489707A
公开(公告)日
2021-03-12
发明(设计)人
曾健忠
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市福田区梅林街道孖岭社区凯丰路10号翠林大厦8层806J
IPC主分类号
G11C11413
IPC分类号
G11C514 G11C710
代理机构
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人
王政
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
SRAM单元、SRAM存储器 [P]. 
胡剑 .
中国专利 :CN102148057A ,2011-08-10
[2]
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黄瑞锋 ;
郑坚斌 ;
于跃 ;
吴守道 ;
彭增发 ;
王林 .
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[3]
一种SRAM单元电路及SRAM存储器 [P]. 
李刚 ;
马松 ;
程玉华 .
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[4]
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胡剑 .
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[5]
SRAM存储器 [P]. 
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王林 .
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[6]
SRAM单元和SRAM存储器 [P]. 
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[7]
SRAM单元和SRAM存储器 [P]. 
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[8]
双端口SRAM单元及SRAM存储器 [P]. 
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双端口SRAM单元及SRAM存储器 [P]. 
曾健忠 .
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[10]
SRAM存储器和形成SRAM存储器的方法 [P]. 
张弓 ;
李煜 .
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