一种SRAM单元电路及SRAM存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711474211.9

申请日：

2017-12-29

公开(公告)号：

CN108231115A

公开(公告)日：

2018-06-29

发明(设计)人：

李刚马松程玉华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区盛夏路608号205室

IPC主分类号：

G11C11417

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-29	公开	公开
2018-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/417 申请日:20171229
2020-04-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C 11/417 申请公布日:20180629

共 50 条

[1]

SRAM单元、SRAM存储器 [P].

胡剑 .

中国专利 :CN102148057A ,2011-08-10

[2]

SRAM单元和SRAM存储器 [P].

张弓 ;

李煜 .

中国专利 :CN105336359B ,2016-02-17

[3]

SRAM单元和SRAM存储器 [P].

吴浩 .

中国专利 :CN111028874A ,2020-04-17

[4]

双端口SRAM单元及SRAM存储器 [P].

曾健忠 .

中国专利 :CN114882923B ,2025-02-25

[5]

双端口SRAM单元及SRAM存储器 [P].

曾健忠 .

中国专利 :CN114882923A ,2022-08-09

[6]

双轨SRAM电路及SRAM存储器 [P].

曾健忠 .

中国专利 :CN112489707A ,2021-03-12

[7]

自定时电路、SRAM的读写共用自定时电路及SRAM存储器 [P].

郭东辉 ;

黄河川 ;

贺珊 .

中国专利 :CN119673238B ,2025-10-31

[8]

自定时电路、SRAM的读写共用自定时电路及SRAM存储器 [P].

郭东辉 ;

黄河川 ;

贺珊 .

中国专利 :CN119673238A ,2025-03-21

[9]

SRAM存储单元、存储阵列及存储器 [P].

王林 .

中国专利 :CN105206298B ,2015-12-30

[10]

SRAM存储单元、存储阵列及存储器 [P].

王林 .

中国专利 :CN105336364A ,2016-02-17

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