自定时电路、SRAM的读写共用自定时电路及SRAM存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411831736.3

申请日：

2024-12-12

公开(公告)号：

CN119673238B

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

郭东辉黄河川贺珊

申请人：

厦门大学

申请人地址：

361005 福建省厦门市思明区思明南路422号

IPC主分类号：

G11C7/22

IPC分类号：

G11C11/417

代理机构：

北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807

代理人：

韩德凯;李伟波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 7/22申请日:20241212
2025-10-31	授权	授权
2025-03-21	公开	公开

共 50 条

[1]

自定时电路、SRAM的读写共用自定时电路及SRAM存储器 [P].

郭东辉 ;

黄河川 ;

贺珊 .

中国专利 :CN119673238A ,2025-03-21

[2]

自定时存储器电路 [P].

S·S·希里瓦斯塔瓦 ;

H·乔拉 ;

M·J·伊克拉斯 .

:CN121122352A ,2025-12-12

[3]

可调节的存储器自定时电路 [P].

詹姆斯·埃德温·德马里斯 ;

迈克尔·D·埃比 .

中国专利 :CN1568521A ,2005-01-19

[4]

具有自定时电路的半导体存储器 [P].

牧康彦 ;

植竹俊行 .

中国专利 :CN100520967C ,2006-12-13

[5]

一种SRAM单元电路及SRAM存储器 [P].

李刚 ;

马松 ;

程玉华 .

中国专利 :CN108231115A ,2018-06-29

[6]

用于静态随机存取存储器(SRAM)自定时器的挠曲电路 [P].

凡卡崔汉文·宾维杰亚拉梵 ;

S·奇丹巴兰 ;

伊戈尔·阿尔寿威士基 .

中国专利 :CN108074608B ,2018-05-25

[7]

双轨SRAM电路及SRAM存储器 [P].

曾健忠 .

中国专利 :CN112489707A ,2021-03-12

[8]

分布式自定时电路 [P].

拜福君 ;

付妮 .

中国专利 :CN203150143U ,2013-08-21

[9]

分布式自定时电路 [P].

拜福君 ;

付妮 .

中国专利 :CN103137189A ,2013-06-05

[10]

自定时电路与静态随机存取存储器 [P].

马自贵 ;

马亚奇 ;

郑君华 ;

顾昌山 .

中国专利 :CN117995232A ,2024-05-07

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