一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011493956.1

申请日：

2020-12-17

公开(公告)号：

CN112626622B

公开(公告)日：

2021-04-09

发明(设计)人：

徐耿钊李忠念陈晖刘争晖张春玉陈科蓓宋文涛徐科

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

IPC主分类号：

C30B3310

IPC分类号：

C25F312 C30B2940

代理机构：

深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304

代理人：

孙伟峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 33/10 申请日:20201217
2022-04-01	授权	授权
2021-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

获得平坦的半极性氮化镓表面的方法 [P].

韩重 ;

本亚明·梁 .

中国专利 :CN106233429A ,2016-12-14

[2]

一种氮化镓表面的硫醇处理方法 [P].

蔡宇韬 ;

孙瑞泽 ;

陆骐峰 ;

赵策洲 ;

梁永齐 .

中国专利 :CN108109903A ,2018-06-01

[3]

一种p型氮化镓的表面处理方法 [P].

王彦杰 ;

胡晓东 ;

胡成余 ;

张国义 .

中国专利 :CN101335204B ,2008-12-31

[4]

一种氮极性氮化镓异质结材料的外延方法 [P].

李传皓 ;

彭大青 .

中国专利 :CN118588558A ,2024-09-03

[5]

一种氮极性氮化镓HEMT材料及其制备方法 [P].

周幸叶 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

张栋曜 ;

高学栋 .

中国专利 :CN120435022A ,2025-08-05

[6]

一种氮极性氮化镓HEMT器件、制备方法和应用 [P].

周幸叶 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

张栋曜 ;

高学栋 .

中国专利 :CN120500075A ,2025-08-15

[7]

一种氮化镓基材料的表面处理方法及器件的制备方法 [P].

杨旭豪 ;

王东 ;

黄永 ;

陈财 ;

王亦飞 ;

陈军飞 ;

李彦佐 .

中国专利 :CN115565875A ,2023-01-03

[8]

一种氮化镓原位剥离设备及制备氮化镓单晶的方法 [P].

张海忠 ;

操权圣 ;

杨胜裕 .

中国专利 :CN119593066A ,2025-03-11

[9]

一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法 [P].

吴洁君 ;

张国义 ;

罗伟科 ;

于彤军 ;

康香宁 ;

杨志坚 .

中国专利 :CN103114332A ,2013-05-22

[10]

单晶氧化镓衬底基片表面原子级台阶结构的制备方法 [P].

徐晓明 ;

周海 ;

黄传锦 ;

徐彤彤 ;

夏斯伟 ;

龚凯 .

中国专利 :CN106784189A ,2017-05-31

← 1 2 3 4 5 →