学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
一种氮极性氮化镓HEMT材料及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510616427.2
申请日
:
2025-05-14
公开(公告)号
:
CN120435022A
公开(公告)日
:
2025-08-05
发明(设计)人
:
周幸叶
冯志红
吕元杰
张栋曜
高学栋
申请人
:
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址
:
050051 河北省石家庄市合作路113号
IPC主分类号
:
H10D30/01
IPC分类号
:
H10D30/47
H01L21/02
C30B31/22
C30B29/40
C30B33/02
代理机构
:
石家庄国为知识产权事务所 13120
代理人
:
李坤
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-08-22
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250514
2025-08-05
公开
公开
共 50 条
[1]
一种氮极性氮化镓HEMT器件、制备方法和应用
[P].
周幸叶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
周幸叶
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
冯志红
;
吕元杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
吕元杰
;
张栋曜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
张栋曜
;
高学栋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
高学栋
.
中国专利
:CN120500075A
,2025-08-15
[2]
一种N极性氮化镓材料制备方法
[P].
孙兵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
孙兵
;
刚学正
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
刚学正
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
田野
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
王鑫华
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
常虎东
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
魏珂
;
冯依飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
冯依飞
.
中国专利
:CN120376408A
,2025-07-25
[3]
氮极性氮化镓功率器件及其制备方法与相关装置
[P].
李成果
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖北九峰山实验室
湖北九峰山实验室
李成果
;
沈晓安
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖北九峰山实验室
湖北九峰山实验室
沈晓安
.
中国专利
:CN121240484A
,2025-12-30
[4]
一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
[P].
黄汇钦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄汇钦
;
吴龙江
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴龙江
;
曾健忠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曾健忠
.
中国专利
:CN115458582A
,2022-12-09
[5]
一种氮极性氮化镓异质结材料的外延方法
[P].
李传皓
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
中国电子科技集团公司第五十五研究所
李传皓
;
彭大青
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
中国电子科技集团公司第五十五研究所
彭大青
.
中国专利
:CN118588558A
,2024-09-03
[6]
一种双极性氮化镓异质结材料及其制备方法、器件
[P].
黄永
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学芜湖研究院
西安电子科技大学芜湖研究院
黄永
;
余海洋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学芜湖研究院
西安电子科技大学芜湖研究院
余海洋
;
黎伟正
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学芜湖研究院
西安电子科技大学芜湖研究院
黎伟正
;
谈浩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学芜湖研究院
西安电子科技大学芜湖研究院
谈浩
;
陈兴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学芜湖研究院
西安电子科技大学芜湖研究院
陈兴
;
吴勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安电子科技大学芜湖研究院
西安电子科技大学芜湖研究院
吴勇
.
中国专利
:CN120201772A
,2025-06-24
[7]
一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
崔鹏
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
罗鑫
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
韩吉胜
;
汉多科·林纳威赫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
山东大学
山东大学
汉多科·林纳威赫
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
徐现刚
.
中国专利
:CN117613082A
,2024-02-27
[8]
一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
[P].
陈兴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
安徽进步半导体科技有限公司
安徽进步半导体科技有限公司
陈兴
;
黄永
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
安徽进步半导体科技有限公司
安徽进步半导体科技有限公司
黄永
.
中国专利
:CN119317144A
,2025-01-14
[9]
一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
崔鹏
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
罗鑫
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
韩吉胜
;
汉多科·林纳威赫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
山东大学
山东大学
汉多科·林纳威赫
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
徐现刚
.
中国专利
:CN117613082B
,2024-09-06
[10]
一种用于氮化镓HEMT功率器件及其制造方法
[P].
杨凯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳镓楠半导体科技有限公司
深圳镓楠半导体科技有限公司
杨凯
;
杜卫星
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳镓楠半导体科技有限公司
深圳镓楠半导体科技有限公司
杜卫星
.
中国专利
:CN121218636A
,2025-12-26
←
1
2
3
4
5
→