一种N极性氮化镓材料制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510476959.0

申请日：

2025-04-16

公开(公告)号：

CN120376408A

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

孙兵刚学正田野王鑫华常虎东魏珂冯依飞

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21/265

IPC分类号：

H01L21/324

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

尹从明

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	公开	公开
2025-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/265申请日:20250416

共 50 条

[1]

一种氮极性氮化镓HEMT材料及其制备方法 [P].

周幸叶 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

张栋曜 ;

高学栋 .

中国专利 :CN120435022A ,2025-08-05

[2]

一种氮化镓单晶片制备方法 [P].

杨少延 ;

李成明 ;

杨瑞 ;

刘祥林 ;

陈庆庆 ;

贺腾 ;

王奕程 ;

张文冠 ;

胡阿龙 .

中国专利 :CN120250153A ,2025-07-04

[3]

镓极性面氮化镓材料及同质外延生长方法 [P].

薛军帅 ;

杨雪妍 ;

李蓝星 ;

姚佳佳 ;

孙志鹏 ;

张赫朋 ;

刘芳 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112750689A ,2021-05-04

[4]

一种双极性氮化镓异质结材料及其制备方法、器件 [P].

黄永 ;

余海洋 ;

黎伟正 ;

谈浩 ;

陈兴 ;

吴勇 .

中国专利 :CN120201772A ,2025-06-24

[5]

一种二次外延生长制备氮化镓系材料的方法 [P].

文于华 ;

刘阳 ;

张梅 ;

田芃 ;

金佳鸿 .

中国专利 :CN108198747A ,2018-06-22

[6]

无需光刻的氮化镓外延材料制备方法及氮化镓外延材料 [P].

宁静 ;

武海迪 ;

张进成 ;

郭海滨 ;

张希鹏 ;

王东 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114639594A ,2022-06-17

[7]

非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法 [P].

王新中 ;

唐飞 ;

李世国 ;

张宗平 ;

何国荣 ;

谢华 .

中国专利 :CN103456602A ,2013-12-18

[8]

具有N-极性氮化镓的外延衬底的形成方法 [P].

真壁勇夫 .

中国专利 :CN109285777A ,2019-01-29

[9]

具有N-极性氮化镓的外延衬底的形成方法 [P].

真壁勇夫 .

日本专利 :CN109285777B ,2024-02-20

[10]

一种氮化镓基材料的刻蚀方法 [P].

吴小明 ;

胡民伟 ;

刘璐 ;

陈芳 .

中国专利 :CN120914096A ,2025-11-07

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