一种二次外延生长制备氮化镓系材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810018514.8

申请日：

2018-01-09

公开(公告)号：

CN108198747A

公开(公告)日：

2018-06-22

发明(设计)人：

文于华刘阳张梅田芃金佳鸿

申请人：

申请人地址：

414006 湖南省岳阳市岳阳楼区学院路

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L213065 H01L21308

代理机构：

岳阳市大正专利事务所 43103

代理人：

皮维华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180109
2021-03-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20180622
2018-06-22	公开	公开

共 50 条

[1]

用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法 [P].

王曦 ;

孙佳胤 ;

陈静 ;

武爱民 ;

欧欣 .

中国专利 :CN101106161A ,2008-01-16

[2]

一种N型重掺杂薄层氮化镓材料的二次外延方法 [P].

李传皓 ;

李忠辉 ;

彭大青 .

中国专利 :CN113808916A ,2021-12-17

[3]

一种N型重掺杂薄层氮化镓材料的二次外延方法 [P].

李传皓 ;

李忠辉 ;

彭大青 .

中国专利 :CN113808916B ,2024-03-08

[4]

氮化镓薄膜材料外延生长的方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

刘春雪 ;

李晨 .

中国专利 :CN106876250B ,2017-06-20

[5]

同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料 [P].

蔡亚伟 ;

张育民 ;

夏嵩渊 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114496749A ,2022-05-13

[6]

一种异质外延生长氮化镓（GaN）的方法 [P].

王嘉 ;

谢亚宏 ;

胡晓东 ;

秦宇航 .

中国专利 :CN105568386A ,2016-05-11

[7]

一种氮化镓二次外延增强型电子器件及其制备方法 [P].

肖霞 .

中国专利 :CN106935653A ,2017-07-07

[8]

无需光刻的氮化镓外延材料制备方法及氮化镓外延材料 [P].

宁静 ;

武海迪 ;

张进成 ;

郭海滨 ;

张希鹏 ;

王东 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114639594A ,2022-06-17

[9]

一种同质外延生长氮化镓的方法、氮化镓材料及应用 [P].

徐俞 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN109841497B ,2019-06-04

[10]

一种生长氮化镓晶体的复合衬底及其制备方法 [P].

陈庆 ;

孙丽枝 ;

叶任海 .

中国专利 :CN105576086A ,2016-05-11

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