一种生长氮化镓晶体的复合衬底及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510959527.1

申请日：

2015-12-21

公开(公告)号：

CN105576086A

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

陈庆孙丽枝叶任海

申请人：

申请人地址：

610091 四川省成都市青羊区蛟龙工业港东海路4座

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2102 C30B2518 C30B2940

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

一种利用涂层硅衬底生长氮化镓晶体的方法 [P].

陈庆 ;

孙丽枝 ;

叶任海 .

中国专利 :CN105483827A ,2016-04-13

[2]

一种氮化镓生长衬底及其制备方法 [P].

谈逊 ;

谈谦 .

中国专利 :CN111430451B ,2020-07-17

[3]

一种生长氮化镓系薄膜的复合衬底及其制备方法和应用 [P].

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN103779449A ,2014-05-07

[4]

一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法 [P].

亢勇 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN103021814A ,2013-04-03

[5]

用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN213459739U ,2021-06-15

[6]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓衬底的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN101918625A ,2010-12-15

[7]

生长氮化镓晶体的方法 [P].

冈久拓司 ;

元木健作 ;

上松康二 ;

中畑成二 ;

弘田龙 ;

井尻英幸 ;

笠井仁 ;

藤田俊介 ;

佐藤史隆 ;

松冈彻 .

中国专利 :CN101086963A ,2007-12-12

[8]

生长氮化镓晶体的方法 [P].

弘田龙 ;

元木健作 ;

中畑成二 ;

冈久拓司 ;

上松康二 .

中国专利 :CN101144182A ,2008-03-19

[9]

复合式氮化镓基半导体生长衬底 [P].

庄家铭 ;

王振祖 ;

黄惠葵 ;

范慧丽 .

中国专利 :CN202549913U ,2012-11-21

[10]

一种用于氮化镓外延生长的复合衬底 [P].

陆卫 ;

夏长生 ;

李志锋 ;

李宁 ;

张波 ;

王少伟 ;

陈平平 ;

陈效双 ;

陈明法 .

中国专利 :CN1622285A ,2005-06-01

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663908521 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2015109595271 申请日:20151221
2017-09-15	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101759163060 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2015109595271 登记生效日:20170825 变更事项:申请人变更前权利人:成都新柯力化工科技有限公司变更后权利人:曹胜伟变更事项:地址变更前权利人:610091 四川省成都市青羊区蛟龙工业港东海路4座变更后权利人:318000 浙江省台州市椒江区江滨新村19号楼3单元602室
2020-04-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20200331 变更事项:专利权人变更前权利人:湖州培优孵化器有限公司变更后权利人:合肥协鑫集成光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:313028 浙江省湖州市吴兴区七幸路656号5幢103-16室变更后权利人:231600 安徽省合肥市肥东县肥东经济开发区金阳路33号
2016-05-11	公开	公开
2017-11-07	授权	授权
2018-12-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20181119 变更事项:专利权人变更前权利人:曹胜伟变更后权利人:湖州培优孵化器有限公司变更事项:地址变更前权利人:318000 浙江省台州市椒江区江滨新村19号楼3单元602室变更后权利人:313028 浙江省湖州市吴兴区七幸路656号5幢103-16室