一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210571719.1

申请日：

2012-12-25

公开(公告)号：

CN103021814A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

亢勇陈邦明

申请人：

申请人地址：

201506 上海市金山区天工路285弄10号楼东单元

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257

代理人：

董红曼

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448949266 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2012105717191 申请日:20121225
2013-04-03	公开	公开
2015-12-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724730420 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2012105717191 申请公布日:20130403

共 50 条

[1]

复合式氮化镓基半导体生长衬底 [P].

庄家铭 ;

王振祖 ;

黄惠葵 ;

范慧丽 .

中国专利 :CN202549913U ,2012-11-21

[2]

一种生长氮化镓晶体的复合衬底及其制备方法 [P].

陈庆 ;

孙丽枝 ;

叶任海 .

中国专利 :CN105576086A ,2016-05-11

[3]

一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法 [P].

连贵君 ;

熊光成 ;

康香宁 ;

张国义 .

中国专利 :CN101556914A ,2009-10-14

[4]

氮化镓基半导体外延器件 [P].

陈彦良 ;

大藤彻 ;

谢明达 .

中国专利 :CN209199874U ,2019-08-02

[5]

复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 [P].

庄家铭 ;

王振祖 ;

黄惠葵 ;

范慧丽 .

中国专利 :CN102593294A ,2012-07-18

[6]

氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 [P].

庄家铭 ;

徐宸科 ;

黄惠葵 ;

范慧丽 .

中国专利 :CN105633234A ,2016-06-01

[7]

一种氮化镓衬底及半导体复合衬底 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112397571A ,2021-02-23

[8]

具有复合碳基衬底的氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

熊传兵 .

中国专利 :CN101710567A ,2010-05-19

[9]

用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法 [P].

王曦 ;

孙佳胤 ;

陈静 ;

武爱民 ;

欧欣 .

中国专利 :CN101106161A ,2008-01-16

[10]

一种半导体器件用氮化镓外延的制备方法 [P].

况维维 ;

唐治 ;

陈中 ;

李涛 .

中国专利 :CN103094078A ,2013-05-08

← 1 2 3 4 5 →