一种氮化镓衬底及半导体复合衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110061226.2

申请日：

2021-01-18

公开(公告)号：

CN112397571A

公开(公告)日：

2021-02-23

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920 H01L2166 H01S502

代理机构：

杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329

代理人：

唐灵;赵杰香

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-23	授权	授权
2021-02-23	公开	公开
2021-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210118

共 50 条

[1]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106536794B ,2017-03-22

[2]

复合式氮化镓基半导体生长衬底 [P].

庄家铭 ;

王振祖 ;

黄惠葵 ;

范慧丽 .

中国专利 :CN202549913U ,2012-11-21

[3]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106574398B ,2017-04-19

[4]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN110042471B ,2019-07-23

[5]

串联封装的碳化硅衬底及氮化镓衬底半导体装置 [P].

陈文彬 ;

罗小春 .

中国专利 :CN207250502U ,2018-04-17

[6]

串联封装的碳化硅衬底及氮化镓衬底半导体装置 [P].

陈文彬 ;

罗小春 .

中国专利 :CN107546209A ,2018-01-05

[7]

氮化镓半导体衬底及其制造方法 [P].

中山雅博 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1875465A ,2006-12-06

[8]

氮化镓衬底 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN102031564A ,2011-04-27

[9]

氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN100580909C ,2007-09-19

[10]

垂直氮化镓半导体器件和外延衬底 [P].

桥本信 ;

木山诚 ;

田边达也 ;

三浦广平 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN100555657C ,2007-05-23

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