垂直氮化镓半导体器件和外延衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680000348.4

申请日：

2006-03-01

公开(公告)号：

CN100555657C

公开(公告)日：

2007-05-23

发明(设计)人：

桥本信木山诚田边达也三浦广平樱田隆

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2912

IPC分类号：

H01L2947 H01L21205 H01L2978 H01L21336 H01L29872

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

林宇清;谢丽娜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-23	公开	公开
2008-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-10-28	授权	授权
2019-03-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/12 申请日:20060301 授权公告日:20091028 终止日期:20180301

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

田边达也 ;

三浦广平 ;

木山诚 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1969380A ,2007-05-23

[2]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

三浦广平 ;

木山诚 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1993834A ,2007-07-04

[3]

氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210866192U ,2020-06-26

[4]

氮化镓外延层及半导体器件 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN210897292U ,2020-06-30

[5]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

田边达也 ;

木山诚 ;

三浦广平 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1977367A ,2007-06-06

[6]

氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件 [P].

中山雅博 ;

松本直树 .

中国专利 :CN101661910A ,2010-03-03

[7]

氮化镓半导体器件 [P].

张安邦 ;

李浩 ;

郑浩宁 ;

陈亮 .

中国专利 :CN213716906U ,2021-07-16

[8]

氮化镓半导体器件 [P].

姚卫刚 ;

李浩 .

中国专利 :CN112259606A ,2021-01-22

[9]

氮化镓半导体器件 [P].

欧阳爵 ;

张礼杰 ;

张啸 ;

谢文元 .

中国专利 :CN214705857U ,2021-11-12

[10]

氮化镓半导体器件 [P].

李啓珍 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN215377414U ,2021-12-31

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