串联封装的碳化硅衬底及氮化镓衬底半导体装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721261001.7

申请日：

2017-09-28

公开(公告)号：

CN207250502U

公开(公告)日：

2018-04-17

发明(设计)人：

陈文彬罗小春

申请人：

申请人地址：

518048 广东省深圳市福田区福保街道石厦北三街东南方国际广场A栋611

IPC主分类号：

H01L23495

IPC分类号：

H01L23498

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

吴平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-17	授权	授权

共 50 条

[1]

串联封装的碳化硅衬底及氮化镓衬底半导体装置 [P].

陈文彬 ;

罗小春 .

中国专利 :CN107546209A ,2018-01-05

[2]

碳化硅衬底、碳化硅半导体装置及碳化硅衬底的制造方法 [P].

内田光亮 .

日本专利 :CN121014273A ,2025-11-25

[3]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[4]

碳化硅半导体衬底 [P].

堀井拓 ;

久保田良辅 ;

增田健良 .

中国专利 :CN107833829A ,2018-03-23

[5]

碳化硅衬底的制备方法、碳化硅衬底及半导体器件 [P].

刘新科 ;

李一阳 ;

范康凯 ;

钟智祥 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006617A ,2025-11-25

[6]

碳化硅衬底、碳化硅半导体器件和制造碳化硅衬底的方法 [P].

日吉透 .

中国专利 :CN105762175A ,2016-07-13

[7]

碳化硅衬底、半导体装置及它们的制造方法 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN103608498B ,2014-02-26

[8]

碳化硅衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅衬底和碳化硅半导体器件的方法 [P].

田中聪 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

松岛彰 ;

久保田良辅 ;

冲田恭子 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN105164322A ,2015-12-16

[9]

碳化硅衬底、半导体装置及它们的制造方法 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN108336127A ,2018-07-27

[10]

碳化硅衬底、半导体器件和制造碳化硅衬底的方法 [P].

西口太郎 ;

佐佐木信 ;

原田真 ;

藤原伸介 ;

并川靖生 .

中国专利 :CN102422387A ,2012-04-18

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