一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810103523.3

申请日：

2008-04-08

公开(公告)号：

CN101556914A

公开(公告)日：

2009-10-14

发明(设计)人：

连贵君熊光成康香宁张国义

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21268

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

贾晓玲

法律状态：

授权

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

垂直氮化镓半导体器件和外延衬底 [P].

桥本信 ;

木山诚 ;

田边达也 ;

三浦广平 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN100555657C ,2007-05-23

[2]

一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法 [P].

亢勇 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN103021814A ,2013-04-03

[3]

一种氮化镓衬底及半导体复合衬底 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112397571A ,2021-02-23

[4]

一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法 [P].

李亮 .

中国专利 :CN102719887B ,2012-10-10

[5]

一种半导体器件用氮化镓外延的制备方法 [P].

况维维 ;

唐治 ;

陈中 ;

李涛 .

中国专利 :CN103094078A ,2013-05-08

[6]

氮化镓半导体衬底及其制造方法 [P].

中山雅博 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1875465A ,2006-12-06

[7]

同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底 [P].

王元刚 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

张志荣 ;

周幸叶 ;

谭鑫 ;

宋旭波 ;

梁士雄 .

中国专利 :CN110797259B ,2020-02-14

[8]

一种氮化镓外延层、半导体器件及其制备方法 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN110620157A ,2019-12-27

[9]

一种氮化镓外延层、半导体器件及其制备方法 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN110620157B ,2024-10-25

[10]

氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法 [P].

林信南 ;

刘美华 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN110620158A ,2019-12-27

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-27	授权	授权
2014-03-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101696210494 IPC(主分类):H01L 21/02 专利号:ZL2008101035233 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学变更后权利人:北京大学东莞光电研究院变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号变更后权利人:523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区创新科技园一号楼4楼417、418室登记生效日:20140207
2009-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-10-14	公开	公开
2017-07-21	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的注销号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101755790929 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2008101035233 专利号:2008101035233 合同备案号:2015440000508 让与人:北京大学东莞光电研究院受让人:东莞市中图半导体科技有限公司发明名称:无解除日:20170629
2015-09-23	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101720009112 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2008101035233 专利号:ZL2008101035233 合同备案号:2015440000508 让与人:北京大学东莞光电研究院受让人:东莞市中图半导体科技有限公司发明名称:一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法申请日:20080408 申请公布日:20091014 授权公告日:20110727 许可种类:独占许可备案日期:20150730