具有复合碳基衬底的氮化镓基半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910186563.3

申请日：

2009-11-27

公开(公告)号：

CN101710567A

公开(公告)日：

2010-05-19

发明(设计)人：

熊传兵

申请人：

申请人地址：

330029 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

IPC主分类号：

H01L2118

IPC分类号：

H01L3302

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101725702687 IPC(主分类):H01L 21/18 专利申请号:2009101865633 申请公布日:20100519
2010-05-19	公开	公开
2012-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101368517641 IPC(主分类):H01L 21/18 专利申请号:2009101865633 申请日:20091127

共 50 条

[1]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 .

中国专利 :CN102420246A ,2012-04-18

[2]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

司空坦 ;

白好善 ;

李成男 ;

孙重坤 ;

李元硕 .

中国专利 :CN100483753C ,2005-05-18

[3]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 ;

金基世 .

中国专利 :CN102403348A ,2012-04-04

[4]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李哉勋 ;

金基世 .

中国专利 :CN102403347A ,2012-04-04

[5]

氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

卓泳助 ;

金在均 ;

金峻渊 ;

李在垣 ;

崔孝枝 .

中国专利 :CN103489896B ,2014-01-01

[6]

氮化镓基半导体器件 [P].

小早川真人 ;

友泽秀喜 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN100470857C ,2007-04-04

[7]

电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法 [P].

李政烨 ;

鲜于文旭 ;

文彰烈 ;

朴用永 ;

梁佑荣 ;

黄仁俊 .

中国专利 :CN103094334A ,2013-05-08

[8]

复合式氮化镓基半导体生长衬底 [P].

庄家铭 ;

王振祖 ;

黄惠葵 ;

范慧丽 .

中国专利 :CN202549913U ,2012-11-21

[9]

制造氮化镓基半导体发光器件的方法 [P].

吕寅准 ;

金玄永 ;

宋尚烨 .

中国专利 :CN103426984A ,2013-12-04

[10]

氮化镓基半导体器件及其制作方法 [P].

林科闯 ;

房育涛 ;

刘波亭 ;

毛张文 ;

李健 ;

张恺玄 ;

杨健 .

中国专利 :CN110600547B ,2019-12-20

← 1 2 3 4 5 →