一种异质外延生长氮化镓（GaN）的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511032117.9

申请日：

2015-12-31

公开(公告)号：

CN105568386A

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

王嘉谢亚宏胡晓东秦宇航

申请人：

申请人地址：

201702 上海市青浦区盈港东路8300弄6-7号1幢3层U区386室

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2512 C30B2518 H01L2102

代理机构：

上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) 31290

代理人：

叶凤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	公开	公开
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663907725 IPC(主分类):C30B 29/40 专利申请号:2015110321179 申请日:20151231
2018-04-20	授权	授权

共 50 条

[1]

异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法 [P].

齐鸣 ;

李爱珍 ;

赵智彪 .

中国专利 :CN1396642A ,2003-02-12

[2]

异质外延生长的氮化镓位错密度测定方法 [P].

刘战辉 ;

肖韶荣 ;

梁成 ;

李庆芳 ;

陈玉林 .

中国专利 :CN103487453A ,2014-01-01

[3]

一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法 [P].

张召富 ;

程春敏 ;

郭宇铮 ;

吴改 ;

梁康 ;

沈威 ;

汪启军 ;

孙祥 .

中国专利 :CN119517182A ,2025-02-25

[4]

一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法 [P].

张召富 ;

程春敏 ;

郭宇铮 ;

吴改 ;

梁康 ;

沈威 ;

汪启军 ;

孙祥 .

中国专利 :CN119517182B ,2025-11-18

[5]

GaN半导体材料的异质外延方法 [P].

郝跃 ;

李德昌 .

中国专利 :CN1738000A ,2006-02-22

[6]

氧化镓的异质外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797195B ,2025-12-02

[7]

氧化镓的异质外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797195A ,2025-10-17

[8]

氮化镓薄膜材料外延生长的方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

刘春雪 ;

李晨 .

中国专利 :CN106876250B ,2017-06-20

[9]

一种用于氮化镓外延生长的复合衬底 [P].

陆卫 ;

夏长生 ;

李志锋 ;

李宁 ;

张波 ;

王少伟 ;

陈平平 ;

陈效双 ;

陈明法 .

中国专利 :CN1622285A ,2005-06-01

[10]

一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法 [P].

程再军 ;

罗杭 ;

郭榕榕 ;

郑荣升 ;

杨宇霖 .

中国专利 :CN118645423A ,2024-09-13

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