一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411524459.1

申请日：

2024-10-30

公开(公告)号：

CN119517182A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

张召富程春敏郭宇铮吴改梁康沈威汪启军孙祥

申请人：

武汉大学深圳研究院

申请人地址：

518057 广东省深圳市南山高新区粤兴二道6号武汉大学深圳产研楼A302室

IPC主分类号：

G16C10/00

IPC分类号：

C30B29/04 C30B23/02 C30B25/16 G16C20/20

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

石超群

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省武汉市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	授权	授权
2025-02-25	公开	公开
2025-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G16C 10/00申请日:20241030

共 50 条

[1]

一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法 [P].

张召富 ;

程春敏 ;

郭宇铮 ;

吴改 ;

梁康 ;

沈威 ;

汪启军 ;

孙祥 .

中国专利 :CN119517182B ,2025-11-18

[2]

金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法 [P].

宁静 ;

武海迪 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

王东 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114639592A ,2022-06-17

[3]

金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法 [P].

宁静 ;

武海迪 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

王东 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114639592B ,2025-08-29

[4]

一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法 [P].

张景文 ;

陈旭东 ;

王进军 ;

李洁琼 ;

卜忍安 ;

王宏兴 ;

侯洵 .

中国专利 :CN107268076A ,2017-10-20

[5]

一种异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法 [P].

王杨 ;

代兵 ;

朱嘉琦 ;

舒国阳 .

中国专利 :CN104499047A ,2015-04-08

[6]

基于六方氮化硼和氮化铝在金刚石衬底上生长氮化镓的方法 [P].

宁静 ;

刘起显 ;

王东 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

闫朝超 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110690105B ,2020-01-14

[7]

一种单晶金刚石衬底上制备氮化镓外延片的方法 [P].

程哲 ;

孙梓轩 ;

王润声 ;

黄如 .

中国专利 :CN118028975A ,2024-05-14

[8]

一种降低铱衬底异质外延单晶金刚石表面缺陷的方法 [P].

曹光宇 ;

张星 ;

陈永超 .

中国专利 :CN116988162B ,2024-05-17

[9]

一种大尺寸单晶金刚石异质外延生长的方法 [P].

李成明 ;

郑宇亭 ;

邵思武 ;

刘金龙 ;

魏俊俊 ;

陈良贤 .

中国专利 :CN111088523B ,2020-05-01

[10]

一种异质外延生长氮化镓（GaN）的方法 [P].

王嘉 ;

谢亚宏 ;

胡晓东 ;

秦宇航 .

中国专利 :CN105568386A ,2016-05-11

← 1 2 3 4 5 →