一种降低铱衬底异质外延单晶金刚石表面缺陷的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310985177.0

申请日：

2023-08-07

公开(公告)号：

CN116988162B

公开(公告)日：

2024-05-17

发明(设计)人：

曹光宇张星陈永超

申请人：

化合积电（厦门）半导体科技有限公司

申请人地址：

361000 福建省厦门市集美区灌口镇灌口大道253号10号楼201室

IPC主分类号：

C30B33/00

IPC分类号：

C30B25/18 C30B29/04 C23C16/511 C23C16/18 C23C16/56 C23C14/35 C23C14/18

代理机构：

厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101

代理人：

高巍

法律状态：

授权

国省代码：

福建省厦门市

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法 [P].

张景文 ;

陈旭东 ;

王进军 ;

李洁琼 ;

卜忍安 ;

王宏兴 ;

侯洵 .

中国专利 :CN107268076A ,2017-10-20

[2]

一种异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法 [P].

王杨 ;

代兵 ;

朱嘉琦 ;

舒国阳 .

中国专利 :CN104499047A ,2015-04-08

[3]

一种大尺寸单晶金刚石异质外延生长的方法 [P].

李成明 ;

郑宇亭 ;

邵思武 ;

刘金龙 ;

魏俊俊 ;

陈良贤 .

中国专利 :CN111088523B ,2020-05-01

[4]

一种高温脉冲偏压辅助金刚石单晶异质外延生长方法 [P].

朱泓达 ;

李一村 ;

代兵 ;

杨世林 ;

朱嘉琦 ;

刘康 .

中国专利 :CN120400990A ,2025-08-01

[5]

一种异质外延单晶金刚石复制生长方法 [P].

魏强 ;

林芳 ;

张晓凡 ;

陈根强 ;

王宏兴 .

中国专利 :CN114016128A ,2022-02-08

[6]

一种CVD单晶金刚石异质外延衬底的结构及制备方法 [P].

左浩 ;

李升 ;

刘宏明 .

中国专利 :CN108707965A ,2018-10-26

[7]

一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法 [P].

张召富 ;

程春敏 ;

郭宇铮 ;

吴改 ;

梁康 ;

沈威 ;

汪启军 ;

孙祥 .

中国专利 :CN119517182A ,2025-02-25

[8]

一种改善金刚石衬底异质外延生长氮化镓的仿真方法 [P].

张召富 ;

程春敏 ;

郭宇铮 ;

吴改 ;

梁康 ;

沈威 ;

汪启军 ;

孙祥 .

中国专利 :CN119517182B ,2025-11-18

[9]

一种双圆台衬底托辅助异质外延大尺寸单晶金刚石的方法 [P].

王启亮 ;

张智华 ;

刘学 ;

牟草源 ;

李根壮 ;

李柳暗 ;

吕宪义 ;

邹广田 .

中国专利 :CN117431622A ,2024-01-23

[10]

一种降低单晶金刚石缺陷的制备方法 [P].

刘欣宇 ;

袁振洲 .

中国专利 :CN119980453A ,2025-05-13

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