一种CVD单晶金刚石异质外延衬底的结构及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810621757.0

申请日：

2018-06-15

公开(公告)号：

CN108707965A

公开(公告)日：

2018-10-26

发明(设计)人：

左浩李升刘宏明

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市国家民用航天产业基地东长安街888号LED产业园1号楼1层厂房南半部

IPC主分类号：

C30B2518

IPC分类号：

C30B2904 C23C2800 C23C1418 C23C1435 C23C1627 C23C16511

代理机构：

北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616

代理人：

刘晓晖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-26	公开	公开
2018-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/18 申请日:20180615
2021-01-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 25/18 申请公布日:20181026

共 50 条

[1]

一种CVD多晶金刚石薄膜异质外延衬底结构 [P].

冯建伟 .

中国专利 :CN220665510U ,2024-03-26

[2]

一种大尺寸单晶金刚石异质外延生长的方法 [P].

李成明 ;

郑宇亭 ;

邵思武 ;

刘金龙 ;

魏俊俊 ;

陈良贤 .

中国专利 :CN111088523B ,2020-05-01

[3]

一种异质外延单晶金刚石的复合衬底材料及其制备方法 [P].

王启亮 ;

张智华 ;

李根壮 ;

牟草源 ;

刘学 ;

李柳暗 ;

吕宪义 ;

邹广田 .

中国专利 :CN117431626A ,2024-01-23

[4]

一种异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法 [P].

王杨 ;

代兵 ;

朱嘉琦 ;

舒国阳 .

中国专利 :CN104499047A ,2015-04-08

[5]

一种降低铱衬底异质外延单晶金刚石表面缺陷的方法 [P].

曹光宇 ;

张星 ;

陈永超 .

中国专利 :CN116988162B ,2024-05-17

[6]

单晶金刚石外延片及其制备方法 [P].

崔新春 ;

万玉喜 ;

胡浩林 ;

曾威 .

中国专利 :CN117535793B ,2024-10-11

[7]

单晶金刚石外延片及其制备方法 [P].

崔新春 ;

万玉喜 ;

胡浩林 ;

曾威 .

中国专利 :CN117535793A ,2024-02-09

[8]

CVD单晶金刚石及其制备方法 [P].

刘晖 ;

徐帅 ;

吴晓磊 ;

屈艺谱 ;

曹博伦 ;

康世豪 ;

闫东阳 ;

夏曼宇 .

中国专利 :CN120384326A ,2025-07-29

[9]

一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法 [P].

张景文 ;

陈旭东 ;

王进军 ;

李洁琼 ;

卜忍安 ;

王宏兴 ;

侯洵 .

中国专利 :CN107268076A ,2017-10-20

[10]

基于Ir衬底异质外延与马赛克拼接的单晶金刚石制备方法 [P].

朱泓达 ;

李一村 ;

代兵 ;

杨世林 ;

朱嘉琦 ;

刘康 .

中国专利 :CN120797197A ,2025-10-17

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