无需光刻的氮化镓外延材料制备方法及氮化镓外延材料

被引：0

申请号：

CN202210096716.0

申请日：

2022-01-26

公开(公告)号：

CN114639594A

公开(公告)日：

2022-06-17

发明(设计)人：

宁静武海迪张进成郭海滨张希鹏王东马佩军郝跃

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C30B2518 C30B2940

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王萌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20220126
2022-06-17	公开	公开

共 50 条

[1]

同质外延生长的氮化镓的方法及氮化镓材料 [P].

蔡亚伟 ;

张育民 ;

夏嵩渊 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN114496749A ,2022-05-13

[2]

氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延层 [P].

尹甲运 ;

房玉龙 ;

王波 ;

郭艳敏 ;

张志荣 ;

李佳 ;

芦伟立 .

中国专利 :CN109119333B ,2019-01-01

[3]

氮化镓薄膜材料外延生长的方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

刘春雪 ;

李晨 .

中国专利 :CN106876250B ,2017-06-20

[4]

用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN213459739U ,2021-06-15

[5]

氮化镓外延层 [P].

李克涛 ;

杜晓沨 ;

李宁 ;

张信 .

中国专利 :CN114447096A ,2022-05-06

[6]

氮化镓外延结构 [P].

徐琳 .

中国专利 :CN216624314U ,2022-05-27

[7]

氮化镓外延片、外延方法及氮化镓基晶体管 [P].

郭艳敏 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

张志荣 ;

王波 ;

李佳 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

冯志红 .

中国专利 :CN108155224A ,2018-06-12

[8]

低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法 [P].

王琦 ;

梁智文 ;

王新强 ;

张国义 .

中国专利 :CN112531015A ,2021-03-19

[9]

氮化镓外延结构制备方法 [P].

石以瑄 ;

韩露 ;

林平澜 ;

石鹏环 .

中国专利 :CN119630017A ,2025-03-14

[10]

一种同质外延生长氮化镓的方法、氮化镓材料及应用 [P].

徐俞 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN109841497B ,2019-06-04

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