一种氮化镓基材料的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510803511.5

申请日：

2025-06-17

公开(公告)号：

CN120914096A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

吴小明胡民伟刘璐陈芳

申请人：

南昌大学南昌实验室南昌硅基半导体科技有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市红谷滩区学府大道999号

IPC主分类号：

H01L21/308

IPC分类号：

H01L21/306 H10H20/01

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	公开	公开
2025-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/308申请日:20250617

共 50 条

[1]

一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法 [P].

徐哲 ;

王金延 ;

刘洋 ;

蔡金宝 ;

刘靖骞 ;

王茂俊 ;

谢冰 ;

吴文刚 .

中国专利 :CN103268857A ,2013-08-28

[2]

一种新型氮化镓外延材料的刻蚀方法 [P].

关赫 ;

武婧博 .

中国专利 :CN115513050A ,2022-12-23

[3]

一种氮化镓材料的刻蚀方法及刻蚀系统 [P].

肖捷翔 ;

易觉民 ;

王萌艺 ;

王鲁华 ;

徐科 .

中国专利 :CN119927443A ,2025-05-06

[4]

一种氮化镓材料的刻蚀方法及刻蚀系统 [P].

肖捷翔 ;

易觉民 ;

王萌艺 ;

王鲁华 ;

徐科 .

中国专利 :CN119927443B ,2025-07-18

[5]

一种氮化镓刻蚀方法 [P].

孔岑 ;

周建军 ;

张凯 ;

郁鑫鑫 .

中国专利 :CN107516633B ,2017-12-26

[6]

一种氮化镓半导体材料及其化学刻蚀方法 [P].

刘德昂 .

中国专利 :CN115637499A ,2023-01-24

[7]

氮化镓基LED芯片的隔离槽刻蚀方法 [P].

李航 .

中国专利 :CN105336659A ,2016-02-17

[8]

基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法 [P].

刘靖骞 ;

王金延 ;

蒋海桑 ;

王宏跃 ;

朱林 ;

王茂俊 ;

于民 ;

吴文刚 ;

张进城 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN107045975A ,2017-08-15

[9]

氮化镓生长基材材料 [P].

M·科恩布鲁斯 ;

程渤 ;

C·图费尔 ;

J·巴林豪斯 ;

R·普埃什 .

德国专利 :CN118866944A ,2024-10-29

[10]

一种氮化镓材料的干法刻蚀方法 [P].

罗毅 ;

韩彦军 ;

薛松 ;

胡卉 ;

郭文平 ;

邵嘉平 ;

孙长征 ;

郝智彪 .

中国专利 :CN1272835C ,2004-04-21

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