一种氮化镓刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710248109.0

申请日：

2017-04-17

公开(公告)号：

CN107516633B

公开(公告)日：

2017-12-26

发明(设计)人：

孔岑周建军张凯郁鑫鑫

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号

IPC主分类号：

H01L213213

IPC分类号：

H01L2920

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

柏尚春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-26	公开	公开
2018-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3213 申请日:20170417
2020-08-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氮化镓材料的刻蚀方法及刻蚀系统 [P].

肖捷翔 ;

易觉民 ;

王萌艺 ;

王鲁华 ;

徐科 .

中国专利 :CN119927443A ,2025-05-06

[2]

一种氮化镓材料的刻蚀方法及刻蚀系统 [P].

肖捷翔 ;

易觉民 ;

王萌艺 ;

王鲁华 ;

徐科 .

中国专利 :CN119927443B ,2025-07-18

[3]

一种氮化镓刻蚀结构及提高氮化镓刻蚀均匀性的方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN117457818A ,2024-01-26

[4]

一种氮化镓基材料的刻蚀方法 [P].

吴小明 ;

胡民伟 ;

刘璐 ;

陈芳 .

中国专利 :CN120914096A ,2025-11-07

[5]

一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法 [P].

徐哲 ;

王金延 ;

刘洋 ;

蔡金宝 ;

刘靖骞 ;

王茂俊 ;

谢冰 ;

吴文刚 .

中国专利 :CN103268857A ,2013-08-28

[6]

一种氮化镓材料的干法刻蚀方法 [P].

罗毅 ;

韩彦军 ;

薛松 ;

胡卉 ;

郭文平 ;

邵嘉平 ;

孙长征 ;

郝智彪 .

中国专利 :CN1272835C ,2004-04-21

[7]

一种新型氮化镓外延材料的刻蚀方法 [P].

关赫 ;

武婧博 .

中国专利 :CN115513050A ,2022-12-23

[8]

氮化镓基LED芯片的隔离槽刻蚀方法 [P].

李航 .

中国专利 :CN105336659A ,2016-02-17

[9]

一种有效降低氧化镓刻蚀损伤的刻蚀方法 [P].

徐光伟 ;

韩照 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN118016535A ,2024-05-10

[10]

一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法 [P].

罗伟科 ;

李亮 ;

李忠辉 ;

张东国 ;

彭大青 ;

董逊 .

中国专利 :CN103614769B ,2014-03-05

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