半导体装置及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610109040.9
申请日
2016-02-26
公开(公告)号
CN105932048A
公开(公告)日
2016-09-07
发明(设计)人
龟山悟 岩崎真也
申请人
申请人地址
日本爱知县
IPC主分类号
H01L2932
IPC分类号
H01L2908 H01L29739 H01L29861 H01L21331
代理机构
北京金信知识产权代理有限公司 11225
代理人
黄威;苏萌萌
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
岩永顺子 ;
高木刚 ;
神泽好彦 ;
空田晴之 ;
齐藤彻 ;
川岛孝启 .
中国专利 :CN1762047A ,2006-04-19
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
林健太 ;
山本克己 ;
中村真 ;
秋山直之 ;
田口恭辅 .
中国专利 :CN104054164A ,2014-09-17
[3]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
小林勇介 ;
小野泽勇一 ;
武井学 .
中国专利 :CN107078155A ,2017-08-18
[4]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
三浦成久 ;
中田修平 ;
大塚健一 ;
渡边昭裕 ;
油谷直毅 .
中国专利 :CN102334190A ,2012-01-25
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
王俊利 ;
平野智之 ;
片冈豊隆 ;
萩本贤哉 .
中国专利 :CN101345244B ,2009-01-14
[6]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
野田泰史 .
中国专利 :CN1694263A ,2005-11-09
[7]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
岩崎真也 .
中国专利 :CN105190897A ,2015-12-23
[8]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
高木刚 .
中国专利 :CN1695254A ,2005-11-09
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
山冈义和 ;
岛田聪 ;
藤田和范 ;
笹田一弘 .
中国专利 :CN101211974A ,2008-07-02
[10]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
秋场高尚 .
中国专利 :CN104282627A ,2015-01-14