一种简易、选择性制备单晶铜箔的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010709130.8

申请日：

2020-07-22

公开(公告)号：

CN112144116B

公开(公告)日：

2020-12-29

发明(设计)人：

姚志强杨文龙

申请人：

申请人地址：

450000 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号

IPC主分类号：

C30B2902

IPC分类号：

C30B106

代理机构：

郑州明德知识产权代理事务所(普通合伙) 41152

代理人：

郭丽娜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-29	公开	公开
2021-09-14	授权	授权
2021-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/02 申请日:20200722

共 50 条

[1]

一种廉价、简易制备单晶铜箔的方法 [P].

张勤芳 ;

霍占跃 .

中国专利 :CN119507019A ,2025-02-25

[2]

一种制备单晶铜箔的方法 [P].

刘忠范 ;

彭海琳 ;

张金灿 ;

刘晓婷 ;

张月新 ;

李广亮 .

中国专利 :CN112301411A ,2021-02-02

[3]

一种单晶铜箔的制备方法 [P].

刘忠范 ;

彭海琳 ;

李杨立志 ;

孙禄钊 ;

刘海洋 ;

王悦晨 .

中国专利 :CN110438556B ,2019-11-12

[4]

一种高选择性制备呋喃铵盐的方法 [P].

程光锦 ;

孙多龙 ;

胡坤 ;

伏忠祥 .

中国专利 :CN112876436B ,2021-06-01

[5]

一种大尺寸单晶铜箔的制备方法 [P].

徐小志 ;

张智宏 ;

吴慕鸿 ;

俞大鹏 ;

王恩哥 ;

刘开辉 .

中国专利 :CN107904654A ,2018-04-13

[6]

一种快速制备(111)取向单晶铜箔的方法 [P].

马俊良 ;

汪伟 ;

刘兆平 .

中国专利 :CN117888194A ,2024-04-16

[7]

一种制备大面积单晶铜箔的方法 [P].

刘忠范 ;

彭海琳 ;

孙禄钊 ;

李杨立志 ;

陈步航 ;

蔡阿利 ;

刘海洋 ;

王悦晨 .

中国专利 :CN112442729B ,2021-03-05

[8]

一种大尺寸单晶铜箔及其制备方法和应用 [P].

杨雨佳 ;

原蔼恒 ;

孙禄钊 ;

贾航 ;

尚龙 ;

刘鹏飞 ;

赵廷奉 ;

魏爱琳 ;

边鹏博 ;

王岚昌 ;

李尔东 ;

宋晓峰 .

中国专利 :CN120575319A ,2025-09-02

[9]

一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法 [P].

赵小平 ;

杨二存 ;

夏利鹏 ;

高丽丽 ;

刘海泉 ;

刘浩东 ;

郭星妙 .

中国专利 :CN111883610A ,2020-11-03

[10]

单晶铜箔及其制备方法 [P].

刘忠范 ;

彭海琳 ;

李广亮 ;

张金灿 ;

刘晓婷 ;

张月新 .

中国专利 :CN110195251A ,2019-09-03

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