基于SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210484535.1

申请日：

2012-11-23

公开(公告)号：

CN102931060A

公开(公告)日：

2013-02-13

发明(设计)人：

郭辉胡彦飞张玉明赵艳黎雷天民张克基

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L21324 C01B3104

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101720793872 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2012104845351 申请公布日:20130213
2013-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101415519106 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2012104845351 申请日:20121123
2013-02-13	公开	公开

共 50 条

[1]

基于SiC与氯气反应的Cu膜退火图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

韦超 ;

张玉明 ;

赵艳黎 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102924120A ,2013-02-13

[2]

基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

汤小燕 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102936154A ,2013-02-20

[3]

基于Ni膜退火的Si衬底图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

赵艳黎 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102938368A ,2013-02-20

[4]

基于3C-SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

汤小燕 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102936011A ,2013-02-20

[5]

基于3C-SiC与氯气反应的Cu膜退火图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102924119A ,2013-02-13

[6]

基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102718208A ,2012-10-10

[7]

基于Cu膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

汤小燕 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102938367A ,2013-02-20

[8]

基于Ni膜退火的SiC与Cl2反应制备结构化石墨烯的方法 [P].

郭辉 ;

邓鹏飞 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

张凤祁 .

中国专利 :CN102674331A ,2012-09-19

[9]

基于Ni膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法 [P].

郭辉 ;

凌显宝 ;

张玉明 ;

张晨旭 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183337A ,2013-07-03

[10]

基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

张克基 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102653401B ,2012-09-05

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