基于Ni膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310078910.7

申请日：

2013-03-12

公开(公告)号：

CN103183337A

公开(公告)日：

2013-07-03

发明(设计)人：

郭辉凌显宝张玉明张晨旭雷天民

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

C01B3104

IPC分类号：

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101715500219 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2013100789107 申请公布日:20130703
2013-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101499126729 IPC(主分类):C01B 31/04 专利申请号:2013100789107 申请日:20130312
2013-07-03	公开	公开

共 50 条

[1]

基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102718208A ,2012-10-10

[2]

基于Cu膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法 [P].

郭辉 ;

凌显宝 ;

张玉明 ;

张晨旭 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183522A ,2013-07-03

[3]

基于Ni膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102583325A ,2012-07-18

[4]

基于Ni膜退火的SiC衬底上大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张晨旭 ;

张玉明 ;

韦超 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183524A ,2013-07-03

[5]

基于Ni膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

邓鹏飞 ;

雷天民 .

中国专利 :CN102505114A ,2012-06-20

[6]

基于Ni膜退火的Si衬底上大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

胡彦飞 ;

张玉明 ;

张丰 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183336A ,2013-07-03

[7]

基于SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

胡彦飞 ;

张玉明 ;

赵艳黎 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102931060A ,2013-02-13

[8]

基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

赵艳黎 ;

张玉明 ;

汤小燕 ;

雷天民 ;

张克基 .

中国专利 :CN102936154A ,2013-02-20

[9]

基于Cu膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张克基 ;

张玉明 ;

张凤祁 ;

雷天民 ;

邓鹏飞 .

中国专利 :CN102674330A ,2012-09-19

[10]

基于Ni膜退火和氯气反应的大面积石墨烯制备方法 [P].

郭辉 ;

张丰 ;

张玉明 ;

韦超 ;

雷天民 .

中国专利 :CN103183338A ,2013-07-03

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