焊盘结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910941895.1
申请日
2019-09-30
公开(公告)号
CN112582363A
公开(公告)日
2021-03-30
发明(设计)人
吴秉桓
申请人
申请人地址
230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L23488
IPC分类号
H01L2160
代理机构
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人
孙佳胤;陈丽丽
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
焊盘结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P]. 
吴秉桓 .
中国专利 :CN112582364B ,2025-04-25
[2]
焊盘结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P]. 
吴秉桓 .
中国专利 :CN112582364A ,2021-03-30
[3]
堆叠膜结构及其形成方法、半导体器件及其形成方法 [P]. 
陈广辉 ;
张高升 ;
龚宸 ;
周毅 ;
罗兴安 .
中国专利 :CN114300462A ,2022-04-08
[4]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
胡凯 ;
詹侃 ;
宋锐 ;
李远 ;
万先进 .
中国专利 :CN110021556B ,2019-07-16
[5]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
黄咏骞 ;
黄泰维 ;
钟鸿钦 ;
李达元 ;
陈建豪 ;
张文 ;
徐志安 ;
蔡明兴 .
中国专利 :CN120390445A ,2025-07-29
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
朴淳秉 ;
平尔萱 .
中国专利 :CN113707610A ,2021-11-26
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
肖莉红 .
中国专利 :CN109830457B ,2019-05-31
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王剑屏 ;
董洁琼 .
中国专利 :CN109860276B ,2019-06-07
[9]
半导体结构及其形成方法,半导体器件及其形成方法 [P]. 
张全良 ;
刘丽丽 .
中国专利 :CN114068708A ,2022-02-18
[10]
半导体结构及其形成方法,半导体器件及其形成方法 [P]. 
张全良 ;
刘丽丽 .
中国专利 :CN114068708B ,2024-03-22